[实用新型]用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置有效

专利信息
申请号: 202020204804.4 申请日: 2020-02-24
公开(公告)号: CN212315554U 公开(公告)日: 2021-01-08
发明(设计)人: 杨典;万烨;赵雄;孙强;王芳;付强;裴蕾;张征 申请(专利权)人: 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 梁文惠
地址: 471023 河南省*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 用于 高纯 硅烷 生产 去除 杂质 装置
【权利要求书】:

1.一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的装置,其特征在于,包括:

精馏装置,设置有物料入口和物料出口,用于脱除三氯氢硅原料中的高沸点组分和低沸点组分;以及

吸附装置,与所述精馏装置的物料出口相连通,内部填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂,所述富含氨基的树脂型吸附剂为大孔型氨基膦酸型螯合树脂。

2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述精馏装置的物料出口通过离心泵与所述吸附装置相连通。

3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述精馏装置包括串联设置的第一精馏塔和第二精馏塔,所述吸附装置通过离心泵与所述第二精馏塔的物料出口相连通。

4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述第一精馏塔和所述第二精馏塔分别为304不锈钢材质制成的精馏塔,塔径分别为1.2~1.5米,塔高分别为30~40米,塔内均装有丝网填料,所述丝网填料的高度为20~30米,所述塔高高于所述丝网填料的高度。

5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述吸附装置中包括两套吸附柱,两套所述吸附柱独立运行。

6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述吸附柱的柱长为2米,公称直径为DN250。

7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述吸附柱的外壁设置有控温夹层。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述控温夹层为水控温夹层。

9.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,两套所述吸附柱内均设置有聚四氟乙烯涂层。

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