[实用新型]一种埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极

权利要求书

1.一种埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，包括：

罐体，其为由陶瓷半透膜材料一体烧制而成的陶瓷罐，所述罐体上开口通过陶瓷盖板密封，所述罐体的罐身外侧覆盖一层釉层；

密封隔板，其固定于所述罐体内部将罐体分为上下两个独立的腔室，上腔室内填充环氧树脂，下腔室内填充硫酸铜晶体；

铜棒，其位于硫酸铜晶体内；

电缆，其下端连接所述铜棒上端，所述电缆上端向上依次穿过密封隔板、环氧树脂，并穿出罐体外部。

2.如权利要求1所述的埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，还包括防拖拽卡扣，其紧贴罐体顶部内侧，所述电缆固定穿过防拖拽卡扣并从罐体顶部穿出。

3.如权利要求1所述的埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，还包括电缆防水接头，其固定于罐体顶部外侧，所述电缆从电缆防水接头穿过穿出。

4.如权利要求1所述的埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，所述铜棒为螺旋状。

5.如权利要求1所述的埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，上下两个腔室的体积比为1:4。

6.如权利要求1所述的埋地金属结构阴极保护低渗透率参比电极，其特征在于，所述罐体为圆柱体结构，所述电缆沿罐体的中轴线向上穿出。