[实用新型]基于NAND Flash的存内计算芯片、存储装置以及终端

权利要求书

1.一种基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，包括：NAND Flash单元阵列模块，包括多个阈值电压可调的NAND Flash单元，用于在计算模式下对接收的数据进行计算，在编程模式下进行数据存储。

2.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述NANDFlash单元阵列模块为二维结构；

每一行的所有NAND Flash单元的栅极均连接至同一个字线，多行NAND Flash单元对应连接多个字线；每一列的所有NAND Flash单元的源极和漏极首尾依次相连，该列的第一个NAND Flash单元的漏极接位线，该列的最后一个NAND Flash单元的源极接源线，多列NANDFlash单元对应多个位线和多个源线；

其中，所述字线用于接收NAND Flash单元行选择信号；所述位线作为电压输入端；所述源线作为模拟电流输出端。

3.根据权利要求1所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述NANDFlash单元阵列模块为3D NAND Flash单元阵列模块。

4.根据权利要求3所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述3D NANDFlash单元阵列模块为三维结构；

所述三维结构包括多层二维阵列，每层二维阵列的结构相同；

所述二维阵列包括多行NAND Flash单元、设置在第一行NAND Flash单元上的顶晶体管行、设置在最后一行NAND Flash单元上的底晶体管行；

每一行的所有NAND Flash单元的栅极均连接在一起，形成字线，多行NAND Flash单元形成多个字线；

顶晶体管行的所有晶体管的栅极连接在一起，形成漏端选择栅；

底晶体管行的所有晶体管的栅极连接在一起，形成源端选择栅，所有晶体管的源极连接在一起，作为源线；

每一列的所有NAND Flash单元的源极和漏极首尾依次相连，该列的第一个NAND Flash单元的漏极连接对应顶晶体管的源极，该顶晶体管的漏极作为位线端，多个顶晶体管对应多个位线端，该列的最后一个NAND Flash单元的源极连接对应底晶体管的漏极；

其中，各层二维阵列对应的位线端通过一位线连接在一起，形成多个位线，各层二维阵列对应的字线连接在一起；

其中，字线为NAND Flash单元行选择信号；位线为电压输入端；源线为模拟电流输出端。

5.根据权利要求2或4所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述NANDFlash单元阵列模块还包括：转换装置，连接在多个所述电压输入端之前，用于将多个电流输入信号分别转换为电压输入信号，输至对应的所述电压输入端。

6.根据权利要求5所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述转换装置包括多个NAND Flash单元；

每个所述NAND Flash单元的栅极与漏极相连，接电流输入信号，同时连接至对应的所述字线；

每个所述NAND Flash单元的源极接入第一偏置电压。

7.根据权利要求2或4所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述NANDFlash单元阵列模块还包括：电流检测输出电路，连接在所述模拟电流输出端之后，用于对所述模拟电流输出端输出的模拟电流输出信号进行处理和输出。

8.根据权利要求7所述的基于NAND Flash的存内计算芯片，其特征在于，所述电流检测输出电路包括：多个运算放大器，每个所述运算放大器的正相输入端连接第二偏置电压，反相输入端连接至对应的所述模拟电流输出端，并且，反相输入端与输出端之间连接一电阻器或晶体管。