[实用新型]一种单晶生长炉有效

专利信息
申请号: 202020215338.X 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN211522370U 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 李海峰;夏俊超;吴思;朱英浩;周鹏飞;涂保 申请(专利权)人: 澳门大学
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/02
代理公司: 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 代理人: 王晖;刘书芝
地址: 中国澳门*** 国省代码: 澳门;82
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长
【权利要求书】:

1.一种单晶生长炉,其特征在于,包括炉本体和提拉控制机构,所述炉本体包括耐高压外壳、保温盒体,所述保温盒体内具有晶体生长内腔,所述耐高压外壳套设于所述保温盒体外,所述耐高压外壳和所述保温盒体之间具有高压壳与保温盒间隙,所述高压壳与保温盒间隙连通有耐高压气体进气管;

所述提拉控制机构包括穿过所述耐高压外壳和所述保温盒体用于与位于所述晶体生长内腔内的籽晶连接的提拉杆。

2.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述晶体生长内腔内设置有用于盛放生长晶体所需的原料盛放容器,所述籽晶位于所述原料盛放容器内,所述晶体生长内腔内位于所述原料盛放容器的下方设置有加热体,所述炉本体还设置有进料装置,所述进料装置与所述原料盛放容器连通。

3.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述提拉控制机构还包括电机控制模块,所述电机控制模块与所述提拉杆连接用于控制所述提拉杆旋转或提拉,

所述炉本体设置有用于可不断向所述晶体生长内腔输入晶体生长原料的进料装置,所述进料装置穿过所述炉本体的侧壁由所述炉本体的外部伸入所述晶体生长内腔内。

4.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述高压壳与保温盒间隙还连通有耐高压气体排出管。

5.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述炉本体上设置有高压过载保护装置,所述高压过载保护装置与所述高压壳与保温盒间隙。

6.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述耐高压外壳包括壳身以及扣设于所述壳身开口上的壳盖;所述保温盒体包括盒身以及扣设在所述盒身开口上的盒盖,所述壳身的开口与所述盒身的开口方向相同,所述盒身的开口与所述晶体生长内腔连通。

7.根据权利要求1~6任一项所述的单晶生长炉,其特征在于,所述单晶生长炉还包括高压气体发生系统,所述高压气体发生系统包括用于盛装气体的气瓶和与所述气瓶连通用于对气体进行加压的增压设备,所述增压设备与所述耐高压气体进气管连通。

8.根据权利要求1~6任一项所述的单晶生长炉,其特征在于,所述耐高压气体进气管上设置有压力表。

9.根据权利要求1所述的单晶生长炉,其特征在于,所述炉本体的顶部设置有密封件,所述提拉杆穿过密封件后伸入所述晶体生长内腔内。

10.根据权利要求9所述的单晶生长炉,其特征在于,所述密封件为磁密封。

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