[实用新型]制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统有效
| 申请号： | 202020217188.6 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN212175076U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 吴锋;李明峰;赵培芝;高召帅;韩锋 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/06;C23C16/24;C23C16/455;C23C16/52;C30B13/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 肖阳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 内应力 用电 多晶 系统 | ||
1.一种制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，包括：
多晶硅还原炉，所述多晶硅还原炉内设有底板、多个石墨夹头、多对硅棒，所述硅棒通过所述石墨夹头设在所述底板上；所述多对硅棒包括多对内圈硅棒和多对外圈硅棒，每对所述硅棒包括1个横梁和2个棒体；
多个内圈硅棒棒径检测单元，所述内圈硅棒棒径检测单元与所述内圈硅棒相连；
三氯氢硅-氢气进料管线，所述三氯氢硅-氢气料管线与所述多晶硅还原炉相连；
多个二氯二氢硅-氢气进料喷口，所述二氯二氢硅-氢气进料喷口布置在所述内圈硅棒的横梁与底板中心的连线上。
2.根据权利要求1所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，所述二氯二氢硅-氢气进料喷口与底板中心的距离为所述连线长度的1/3～1/2。
3.根据权利要求1所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，所述二氯二氢硅-氢气进料喷口的出料方向与所述硅棒之间的夹角为15～30°。
4.根据权利要求1所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，所述多对硅棒包括4对所述内圈硅棒和8对所述外圈硅棒。
5.根据权利要求1所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，进一步包括：
多个内圈硅棒供电控制单元，每个所述内圈硅棒供电控制单元与2对所述内圈硅棒相连；
外圈硅棒供电控制单元，所述外圈硅棒供电控制单元与所述外圈硅棒相连。
6.根据权利要求1所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，进一步包括：
多个外圈棒径检测单元，所述外圈棒径检测单元与所述外圈硅棒相连；
多个外圈硅棒测温单元，所述外圈硅棒测温单元布置在与所述外圈硅棒相连的所述石墨夹头的上方。
7.根据权利要求6所述的制备低内应力区熔用电子级多晶硅的系统，其特征在于，所述外圈硅棒测温单元布置在所述石墨夹头上方25～35cm处。
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