[实用新型]一种非制冷超宽光谱光电转换器及阵列探测器

权利要求书

1.一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：包括绝缘基底、光电转换工质、感光端电极和冷端电极；所述光电转换工质覆设在绝缘基底上；

所述光电转换工质为由感光区和垂直于感光区的非感光区构成的L形；光电转换工质两端分别为位于感光区一端的感光端和位于非感光区一端的冷端，感光端电极与感光端相连，冷端电极与冷端相连。

2.根据权利要求1所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述光电转换工质为三维狄拉克半金属。

3.根据权利要求2所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：三维狄拉克半金属为化合物HfTe5或化合物ZrTe5。

4.根据权利要求1或2所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述感光区的上表面设有抗反膜，所述感光区的下表面设有增反膜。

5.根据权利要求1或2所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述感光区的感光面为黑化面，或者，感光区的感光面为磨砂面。

6.根据权利要求1所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述绝缘基底为具备电绝缘和/或热绝缘的绝缘基底。

7.根据权利要求1所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述冷端连接有热沉基底；所述热沉基底由导热材料制成。

8.根据权利要求1所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：光电转换工质厚度范围为50nm-1μm。

9.根据权利要求1所述的一种非制冷超宽光谱光电转换器，其特征在于：所述感光区与绝缘基底之间设有绝热层和/或悬空层。

10.一种非制冷超宽光谱阵列探测器，其特征在于：由若干个权利要求1至9任一所述的非制冷超宽光谱光电转换器集成或拼接而成，所述每个光电转换工质的感光区均位于同一平面上。