[实用新型]一种缩小凸块底切的结构有效

专利信息
申请号: 202020224822.9 申请日: 2020-02-28
公开(公告)号: CN211350632U 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 时庆楠 申请(专利权)人: 江苏汇成光电有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 王峰
地址: 225128 江苏省扬州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 缩小 凸块底切 结构
【权利要求书】:

1.一种缩小凸块底切的结构,包括基板,所述基板上设置有至少一个铝垫,基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层,保护层上对应每个铝垫均设有一个开口,所述铝垫通过对应开口暴露出部分表面,其特征在于,每个所述开口周围的保护层上围绕开设有下沉凹槽,所述下沉凹槽围绕在开口周围设置,与所述开口相对应的铝垫上方、开口周围的保护层上方以及下沉凹槽底部均覆盖设置有阻障层,所述阻障层上方设置有种子层,种子层上方设置有凸块,所述下沉凹槽的围绕路径与凸块的外周形状相对应设置,下沉凹槽的竖直截面为矩形,下沉凹槽的外侧槽壁与凸块外侧面上下对应设置,下沉凹槽的内侧槽壁位于凸块下方,下沉凹槽的宽度为0.5~5μm,下沉凹槽的深度为1~2μm。

2.根据权利要求1所述的一种缩小凸块底切的结构,其特征在于,所述开口的侧壁和下沉凹槽的内侧槽壁也设置有阻障层,各阻障层连为一体设置,下沉凹槽的外侧槽壁和阻障层之间留有间距。

3.根据权利要求1或2所述的一种缩小凸块底切的结构,其特征在于,所述基板为晶圆或芯片,保护层的材质为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

4.根据权利要求1或2所述的一种缩小凸块底切的结构,其特征在于,所述阻障层的材质为钛金属或钛钨合金,水平面上阻障层的厚度为0.29~0.31μm,垂直面上阻障层的厚度为0.145~0.155μm,种子层的厚度为0.079~0.081μm,种子层下侧中部嵌入阻障层中部的凹槽内,种子层和凸块的材质相同均为金、银、铜、锡、钯或者其合金,凸块沿水平方向的截面形状为正方形、长方形、三角形、圆形或菱形。

5.根据权利要求4所述的一种缩小凸块底切的结构,其特征在于,所述凸块的截面为长方形,下沉凹槽的围绕路径呈“口”字形。

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