[实用新型]垂直腔面发射激光器有效
| 申请号： | 202020228173.X | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN211456209U | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王保勇;范鑫烨;张鲁健 | 申请（专利权）人： | 太平洋（聊城）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李晓锋 |
| 地址： | 252000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 | ||
1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：
N-DBR，所述N-DBR设置在衬底上方并且包括层叠设置的第一分布布拉格反射镜；
有源层，所述有源层设置在所述N-DBR上并且包括层叠设置的量子阱结构；
P-DBR，所述P-DBR设置在所述有源层上并且包括层叠设置的第二分布布拉格反射镜。
2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N-DBR包括至少7个所述第一分布布拉格反射镜。
3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每个所述第一分布布拉格反射镜包括Si层和位于所述Si层上的SiO2层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N-DBR还包括位于层叠设置的所述第一分布布拉格反射镜上的AlGaAs包层、以及位于所述AlGaAs包层上的空气层。
5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有源层包括3个层叠设置的所述量子阱结构。
6.根据权利要求5所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每个所述量子阱结构包括GaAs层和位于所述GaAs层上的AlGaAs层。
7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述P-DBR包括至少22个所述第二分布布拉格反射镜。
8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，每个所述第二分布布拉格反射镜包括GaAs层和位于所述GaAs层上的AlGaAs层，其中，所述AlGaAs层的折射率大于所述GaAs层的折射率。
9.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括：
N电极，所述N电极设置在所述衬底的底面上；
第一缓冲层，所述第一缓冲层设置在所述衬底的顶面和所述N-DBR之间；
第二缓冲层，所述第二缓冲层设置在所述P-DBR上；
P电极，所述P电极设置在所述第二缓冲层上。
10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述N-DBR包括被所述有源层覆盖的第一顶面以及暴露的第二顶面，其中，所述第二顶面、所述有源层的侧壁、所述P-DBR的侧壁和所述第二缓冲层的侧壁覆盖有掩模。
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