[实用新型]单晶磨抛控制系统

权利要求书

1.一种单晶磨抛控制系统，包括PLC控制器(6)、夹持机构(1)、磨抛机构(2)、位移传感器(3)、工作台(4)和丝杠机构(5)，其特征在于，还包括夹持变频器(7)、磨抛变频器(8)、丝杠变频器(9)、显示器(10)和位移控制器(11)，PLC控制器(6)控制夹持变频器(7)控制夹持机构(1)，夹持机构(1)控制单晶的夹持；PLC控制器(6)控制磨抛变频器(8)控制磨抛机构(2)，磨抛机构(2)控制单晶的粗磨和精磨；PLC控制器(6)控制丝杠变频器(9)控制丝杠机构(5)，丝杠机构(5)控制夹持机构(1)的左右间距；PLC控制器(6)通过位移控制器(11)控制位移传感器(3)，位移传感器(3)检测单晶的边缘，检测到的边缘信号通过PLC控制器(6)反馈到磨抛机构(2)对单晶的磨抛进行控制。

2.根据权利要求1所述的单晶磨抛控制系统，其特征在于，所述还包括显示器(10)，PLC控制器(6)连接显示器(10)，并将位移传感器(3)检测到的信号显示于显示器(10)上；显示器(10)采用工业触摸显示器(10)。

3.根据权利要求1所述的单晶磨抛控制系统，其特征在于，所述夹持机构(1)包括左右两侧夹持件、夹持电机和机架；磨抛机构(2)包括左右两侧的磨抛头和磨抛电机；丝杠机构(5)包括丝杠和丝杠电机；夹持机构(1)位于工作台(4)上，磨抛机构(2)位于夹持机构(1)上，丝杠机构(5)位于工作台(4)内；位移传感器(3)设置于夹持机构(1)夹持的单晶的两侧，每侧位移传感器(3)至少设置有两个。

4.根据权利要求2所述的单晶磨抛控制系统，其特征在于，所述位移传感器(3)检测到的单晶的边缘在精磨后尺寸误差控制在0.1mm内。

5.根据权利要求4所述的单晶磨抛控制系统，其特征在于，所述单晶的表面粗糙度Ra≤0.15μm。