[实用新型]全无机钙钛矿器件有效
| 申请号： | 202020235959.4 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN211238273U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 袁晨辰;牛欢欢;朱桂;赵英杰;范利生;田清勇;范斌 | 申请（专利权）人： | 昆山协鑫光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/032 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 赵世发 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 无机 钙钛矿 器件 | ||
1.一种全无机钙钛矿器件，其特征在于包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极，所述钙钛矿层设置于所述电子传输层与空穴传输层之间，且所述钙钛矿层与所述电子传输层之间设置有In2O3缓冲层。
2.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述In2O3缓冲层直接被沉积在所述钙钛矿层的表面。
3.根据权利要求1或2所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述In2O3缓冲层的厚度为1-5nm。
4.根据权利要求3所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述In2O3缓冲层包括由复数个In2O3纳米颗粒堆积形成的连续薄膜。
5.根据权利要求1或2所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述全无机钙钛矿器件包括依次叠层设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极。
6.根据权利要求1或2所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述全无机钙钛矿器件包括依次叠层设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及金属电极。
7.根据权利要求1或2所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述全无机钙钛矿器件为正向结构或反置结构。
8.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述电子传输层包括叠层设置的第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层；和/或，所述电子传输层的厚度为10-50nm；和/或，第一电子传输层、第二电子传输层和第三电子传输层的厚度相同或不同。
9.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述导电基底选自FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、FTO导电塑料、ITO导电塑料中的任意一种，其中，所述FTO导电玻璃的厚度为500nm，所述ITO导电玻璃的厚度为300-400nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为10-40nm；和/或，所述钙钛矿层的厚度为300-1000nm；和/或，所述金属电极的厚度为100-200nm。
10.根据权利要求1所述的全无机钙钛矿器件，其特征在于：所述全无机钙钛矿器件为介观结构、介观超结构、平面n-i-p型结构及平面p-i-n型结构中的任意一种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
