[实用新型]一种拉晶设备有效
申请号: | 202020245944.6 | 申请日: | 2020-03-03 |
公开(公告)号: | CN212451736U | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 王建波;周锐;李侨;邓浩;付泽华;张龙龙;徐战军;张永辉;张伟建 | 申请(专利权)人: | 隆基绿能科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 710100 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 设备 | ||
本实用新型实施例提供了一种拉晶设备,所述设备包括:加料装置和单晶炉;所述加料装置包括储料部和运料通道;所述储料部用于储存硅料;所述运料通道的一端与所述储料部相连,另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内,所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内;所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道;所述缓料通道的一端与所述导料通道相连,另一端与所述运料通道相连,且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置;所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。本实用新型实施例中,所述缓料通道能有效减缓所述硅料对坩埚内硅液的冲击,避免由于添加硅料导致硅液溅射引起硅液温度波动,进而可以有效提升单晶硅品质。
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏技术领域,特别是涉及一种拉晶设备。
背景技术
随着光伏技术的发展,单晶硅的使用也越来越广泛。近些年,单晶硅的需求量不断增大,因此,单晶硅生产效率的提升就尤为重要。
目前,单晶硅的生产工艺主要为直拉法。连续直拉法(Continuous Czocharlski,CCZ)为直拉法的一种,由于晶棒拉制与加料熔化同时进行,省去了单独的熔料时间,提升了生产效率,而且,通过引入内坩埚有效延长了坩埚的使用寿命,降低了生成成本,因此被广泛应用。然而,在CCZ生产中,由于添加新的硅料时,会出现溅料,导致晶棒生长界面的温度波动较大,从而会影响单晶硅的品质。而且,由于CCZ生产工艺中增加了内坩埚,内坩埚也会与硅液发生反应,导致硅液中被引入的杂质增多,从而也会影响单晶硅品质。
实用新型内容
为了解决或部分的解决上述问题,本实用新型公开了一种拉晶设备及方法。
本实用新型公开了一种拉晶设备,所述设备包括:加料装置和单晶炉;
所述加料装置包括储料部和运料通道;
所述储料部用于储存硅料;
所述运料通道的一端与所述储料部相连,另一端穿过所述单晶炉的炉壁伸入所述单晶炉内,所述运料通道用于将所述硅料输送至所述单晶炉内;
所述单晶炉内设有坩埚、缓料通道和导料通道;
所述缓料通道的一端与所述导料通道相连,另一端与所述运料通道相连,且所述缓料通道分别与所述运料通道、所述导料通道呈预设夹角设置;
所述导料通道的另一端伸入所述坩埚内。
可选的,所述单晶炉内还设有保温盖,所述保温盖设置于所述坩埚的上方;
所述保温盖开设有第一通孔,所述导料通道的一端穿过所述第一通孔与所述缓料通道连通。
可选的,所述缓料通道设置于所述保温盖远离所述坩埚的一侧,所述导料通道穿过所述第一通孔设置在所述保温盖与所述坩埚之间。
可选的,所述单晶炉的侧面炉壁对应所述保温盖的上方处开设有第二通孔;
所述运料通道水平设置,且所述运料通道穿过所述第二通孔与所述缓料通道连通。
可选的,所述缓料通道与所述导料通道为一体成型结构或可拆卸连接。
可选的,所述单晶炉内具有位于所述坩埚上方的热屏,所述热屏的中心开设有供晶棒通过的拉晶通道,所述导料通道设置于所述热屏远离所述拉晶通道的一侧。
可选的,所述单晶炉内还设有隔热件;
所述隔热件夹设于所述缓料通道与所述导料通道之间。
可选的,所述隔热件为碳碳隔热件或石墨隔热件。
可选的,所述坩埚包括内坩埚和外坩埚,所述内坩埚设置于所述外坩埚内,且所述内坩埚的埚壁与所述外坩埚的埚壁之间形成间隙;
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