[实用新型]一种基于磁悬浮的巨量转移装置及其系统有效
| 申请号： | 202020252848.4 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN211320073U | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 魏其源;王英琪;袁山富;曹江;颜家煌 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L33/00;H01L25/16 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 成姗 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 磁悬浮 巨量 转移 装置 及其 系统 | ||
1.一种基于磁悬浮的巨量转移装置，其特征在于，包括：
光源以及相对设置的上基板和下基板，所述上基板和下基板的相对面上均设有电磁体，所述电磁体均通过导线与电源相连接；所述上基板和下基板之间设有可容置转移基板和/或目标基板的转移空间；所述光源所发出的光入射至所述转移空间中的目标基板的放置位上，所述上基板中设有供所述光源所发出的光进入所述转移空间中的透光窗。
2.根据权利要求1所述的基于磁悬浮的巨量转移装置，其特征在于，所述上基板与所述下基板上的所述电磁体数量相一致，且一一相对准。
3.根据权利要求2所述的基于磁悬浮的巨量转移装置，其特征在于，所述上基板与所述下基板之间相互对准的电磁体的极性相反。
4.一种基于磁悬浮的巨量转移系统，其特征在于，包括：如权利要求1至3任意一项所述的巨量转移装置，以及转移基板和目标基板；所述转移基板和目标基板放置于所述巨量转移装置的转移空间中，所述转移基板上设有一个以上的LED芯片，每个所述LED芯片上均通过光刻胶粘贴有永磁体；所述永磁体的两极以上下分布的形式设置。
5.根据权利要求4所述的基于磁悬浮的巨量转移系统，其特征在于，粘贴于相邻的所述LED芯片上的永磁体，其磁极相互倒置。
6.根据权利要求5所述的基于磁悬浮的巨量转移系统，其特征在于，所述永磁体粘贴于所述LED芯片的侧面上。
7.根据权利要求5所述的基于磁悬浮的巨量转移系统，其特征在于，所述永磁体粘贴于所述LED芯片的顶部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
