[实用新型]一种晶圆级LGA芯片有效
申请号: | 202020255746.8 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN211404498U | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 陈立均;代文亮;李苏萍 | 申请(专利权)人: | 上海芯波电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/64 | 分类号: | H01L23/64;H01L23/488;H01L21/02;H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶圆级 lga 芯片 | ||
1.一种晶圆级LGA芯片,包括晶圆块、电容下极板(2)和第一隔离介质层(3),其特征在于,所述晶圆块(1)表面刻制电容下极板(2),电容下极板(2)表面设置第一隔离介质层(3),第一隔离介质层(3)上刻制有电容上极板(5),电容上极板(5)上设有第二隔离介质层(6),第二隔离介质层(6)上刻制有焊盘开窗(7)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片,其特征在于,所述焊盘开窗(7)的外部设有镀层(8)。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆级LGA芯片,其特征在于,所述镀层(8)为金属镀层、抗氧化镀层或可焊性镀层。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片,其特征在于,设置第二隔离介质层(6)的方式是通过化学气相沉积方式,形成致密的保护层。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆级LGA芯片,其特征在于,所述焊盘开窗(7)的开窗具体是利用光刻工艺转移焊盘图形到第二隔离介质层(6)表面,通孔刻蚀工艺刻蚀处进行开窗。
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