[实用新型]一种提高单晶硅拉速的冷却装置有效
申请号: | 202020262421.2 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN211921735U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 高润飞;勒立辉;张文霞;姚长娟;武志军 | 申请(专利权)人: | 内蒙古中环光伏材料有限公司;天津环博科技有限责任公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人: | 樊晓敏 |
地址: | 010070 内蒙*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 单晶硅 冷却 装置 | ||
1.一种提高单晶硅拉速的冷却装置,包括水冷内导(1)、进水管道(3)、出水管道(4),所述进水管道(3)与所述出水管道(4)相对固定设于所述水冷内导(1)的上部两侧,其特征在于:所述水冷内导(1)的内表面设置多个格栅(2)。
2.根据权利要求1所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述格栅(2)沿水冷内导(1)直径方向均匀固定在水冷内导(1)的内表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述水冷内导(1)为上部开口大底部开口小的环状结构,所述环状结构中设有中空腔体,所述环状结构的上部相对设置有进水口和出水口,所述进水口与所述进水管道(3)固定连接,所述出水口与所述出水管道(4)固定连接。
4.根据权利要求3所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述水冷内导(1)的环状结构为锥形结构。
5.根据权利要求1或2所述的一种提高单晶硅拉速的冷却装置,其特征在于:所述进水管道(3)与所述出水管道(4)下部分别设有悬挂杆(5),所述悬挂杆将所述水冷内导(1)与导流筒固定连接。
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