[实用新型]高反射LED倒装芯片及其封装结构

权利要求书

1.一种高反射LED倒装芯片，包括：由下至上依次层叠的衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层；设于所述第一半导体层上的第一欧姆接触层；设于所述第二半导体层上的第二欧姆接触层；以及覆盖于芯片表面的第一透明绝缘层，所述第一透明绝缘层对应第一欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第一欧姆接触层的第一通孔，所述第一透明绝缘层对应第二欧姆接触层的位置具有贯穿第一透明绝缘层上下表面且暴露第二欧姆接触层的第二通孔；其特征在于，还包括第一接触电极、第二接触电极和第二透明绝缘层，所述第一接触电极通过所述第一通孔与所述第一欧姆接触层接触，所述第二接触电极通过所述第二通孔与所述第二欧姆接触层接触，所述第一接触电极和第二接触电极具有间隙；所述第二透明绝缘层覆盖于第一接触电极和第二接触电极表面，所述第二透明绝缘层对应第一接触电极和第二接触电极的位置分别具有贯穿第二透明绝缘层上下表面且暴露第一接触电极和第二接触电极的焊接孔；所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙小于或等于30um。

2.根据权利要求1所述的高反射LED倒装芯片，其特征在于，所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙大于或等于10um。

3.根据权利要求1所述的高反射LED倒装芯片，其特征在于，所述第二透明绝缘层的厚度小于1.5um。

4.根据权利要求1所述的高反射LED倒装芯片，其特征在于，所述焊接孔之间的距离大于等于30um。

5.根据权利要求1所述的高反射LED倒装芯片，其特征在于，所述第一接触电极设于第一透明绝缘层上以及通过所述第一通孔设于所述第一欧姆接触层上，所述第二接触电极设于第一透明绝缘层上以及通过所述第二通孔设于所述第二欧姆接触层上。

6.根据权利要求1所述的高反射LED倒装芯片，其特征在于，所述第二透明绝缘层填充所述第一接触电极和第二接触电极之间的间隙。

7.一种高反射LED倒装芯片的封装结构，其特征在于，包括支架以及权利要求1-6任意一项所述的高反射LED倒装芯片，所述高反射LED倒装芯片通过所述焊接孔固定于所述支架上并与所述支架电连接。