[实用新型]抗硫化抗高压的存储器储存装置有效
| 申请号： | 202020264091.0 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN210925498U | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 郭熙霖;王威祥 | 申请（专利权）人： | 十铨科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11B33/14 | 分类号： | G11B33/14 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硫化 高压 存储器 储存 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗硫化抗高压的存储器储存装置，其特征在于，包含：
印制电路板；
存储器单元，设置于所述的印制电路板；
连接接口，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的存储器单元，用以连接到主机系统；
抗硫化抗高压被动元件，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元，所述的抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径。
2.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压电阻。
3.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为抗硫化抗高压排阻。
4.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的抗硫化抗高压被动元件为多数个。
5.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，还包括抗高压电容，设置于所述的印制电路板且电连接于所述的连接接口及所述的存储器单元。
6.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的存储器储存装置为UDIMM。
7.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的存储器储存装置为RDIMM。
8.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的存储器储存装置为SODIMM。
9.根据权利要求1所述的存储器储存装置，其特征在于，所述的存储器储存装置为SSD。
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