[实用新型]一种拉晶设备有效

专利信息
申请号: 202020279398.8 申请日: 2020-03-09
公开(公告)号: CN212128338U 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 李侨;周锐;张龙龙;邓浩;付泽华;徐战军;张永辉;张伟建;王建波 申请(专利权)人: 隆基绿能科技股份有限公司
主分类号: C30B15/02 分类号: C30B15/02;C30B15/10
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 设备
【说明书】:

实用新型实施例提供了一种拉晶设备,所述设备包括:单晶炉和加料装置;加料装置,用于储存硅料并将所述硅料运送至单晶炉内;单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场;第二热场内设有第二坩埚,第二坩埚与加料装置的一端相对,第二热场用于将加料装置运送至第二坩埚内的硅料熔化为硅液;第一热场内设有第一坩埚;导料管的一端连接第二坩埚,另一端伸入第一坩埚内,导料管用于将硅液导送至第一坩埚内。本实用新型实施例的拉晶设备,可以有效避免了向第一坩埚内直接添加块状或颗粒状硅料导致的溅液问题,并且还能减缓第一坩埚的熔料时间,提高第一坩埚的使用寿命以及减少杂质混入晶棒,提升晶棒的品质。

技术领域

本实用新型涉及太阳能光伏技术领域,特别是涉及一种拉晶设备。

背景技术

随着光伏技术的快速发展,单晶硅的使用也越来越广泛。近些年,单晶硅的需求量不断增大,因此,单晶硅生产效率的提升就尤为重要。

目前,单晶硅的生产工艺主要为直拉法。在直拉法生产单晶硅的工艺中,CCZ(Continuous Czocharlski,连续直拉法)相较于RCZ(Recharged Czocharlski,多次装料拉晶技术),由于节省了熔料时间,有效提升了生产效率,因此,近些年来,CCZ技术在单晶硅生产中被广泛应用。然而,在CCZ生产工艺中,在添加新的硅料时,不可避免的会出现溅料,导致晶棒生长界面的温度波动较大,从而会影响单晶硅的品质。

实用新型内容

为了解决或部分的解决上述问题,本实用新型公开了一种拉晶设备。

本实用新型公开了一种拉晶设备,所述设备包括:单晶炉和加料装置;

所述加料装置,用于储存硅料并将所述硅料运送至所述单晶炉内;

所述单晶炉内设有第一热场、导料管和第二热场;

所述第二热场内设有第二坩埚,所述第二坩埚与所述加料装置的一端相对,所述第二热场用于将所述加料装置运送至所述第二坩埚内的硅料熔化为硅液;

所述第一热场内设有第一坩埚;

所述导料管的一端连接所述第二坩埚,另一端伸入所述第一坩埚内,所述导料管用于将所述硅液导送至所述第一坩埚内。

可选的,所述第二热场内还设有加热器,所述加热器用于将所述第二坩埚内的所述硅料熔化为所述硅液。

可选的,所述单晶炉内还设有保温盖,所述第一坩埚与所述保温盖同轴设置;

所述保温盖上设有第一通孔和第二通孔,所述第一坩埚与所述第一通孔相对,所述第二坩埚穿设于所述第二通孔,所述第二通孔位于所述第一通孔与所述加料装置之间。

可选的,所述第二坩埚的埚壁上设有第一挂耳,所述第二坩埚穿过所述第二通孔且所述第一挂耳搭接在所述保温盖上。

可选的,所述导料管包括导料通道和外管壁,所述外管壁设置于所述导料通道外侧;

所述第二坩埚上开设有溢料孔;

所述导料通道的一端与所述溢料孔连通,所述导料通道的另一端伸入所述第一坩埚内。

可选的,所述保温盖上还设有第三通孔,第三通孔位于所述第一通孔和第二通孔之间;

所述外管壁上设有第二挂耳,所述导料管穿过所述第三通孔且所述第二挂耳搭接在所述保温盖上。

可选的,所述单晶炉内还设有缓料通道;

所述缓料通道一端与所述第一通孔连通,另一端与所述导料通道连通。

可选的,所述缓料通道与所述第二坩埚为一体成型结构或可拆卸连接。

可选的,所述第二热场还设有保温层,所述保温层贴附于所述第二坩埚的外侧。

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