[实用新型]功率器件

权利要求书

1.一种功率器件，其特征在于，包括：

外延层，设置有依次分布的多个晶体管单元，每个所述晶体管单元内形成有相互间隔设置的多个发射极沟槽和一个栅极沟槽且所述栅极沟槽设置于相邻两个所述发射极沟槽之间，所述发射极沟槽的深度大于所述栅极沟槽的深度；

栅极，设置于所述栅极沟槽并在所述栅极沟槽内与所述外延层绝缘设置；

冗余发射极，设置于所述发射极沟槽并在所述发射极沟槽内与所述外延层绝缘设置。

2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述发射极沟槽的深度与所述栅极沟槽的深度之间的差值为0.3um～3um。

3.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，在所述发射极沟槽以及所述栅极沟槽的排布方向上，所述发射极沟槽的宽度大于所述栅极沟槽的宽度。

4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述发射极沟槽的宽度与所述栅极沟槽的宽度之间的差值为0.2um～0.5um。

5.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述外延层包括依次排布的漂移层以及体区，所述漂移层配置为第一导电类型，所述体区配置为第二导电类型，所述发射极沟槽以及所述栅极沟槽贯穿所述体区并向所述漂移层延伸。

6.根据权利要求5所述的功率器件，其特征在于，所述外延层还包括载流子存储区，所述载流子存储区位于所述体区面向所述漂移层的一侧，所述发射极沟槽穿过所述载流子存储区伸入所述漂移层，所述栅极沟槽部分伸入所述载流子存储区。

7.根据权利要求5所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括：

发射区，配置为所述第一导电类型的重掺杂区，所述发射区位于所述体区的背离所述漂移层侧的表面，并且围绕于所述栅极沟槽的横向的至少部分周边；

绝缘层，覆盖所述外延层；

发射极互连，位于所述绝缘层上，所述发射极互连经由贯穿所述绝缘层的过孔与所述发射区耦合。

8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，所述发射极互连还经由贯穿所述绝缘层的过孔与所述体区耦合。

9.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件还包括集电极互连，所述集电极互连设置于所述外延层背离所述栅极以及所述冗余发射极的一侧；

和/或，所述功率器件还包括场截止层，所述场截止层设置于所述外延层背离所述栅极以及所述冗余发射极的一侧。

10.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述栅极沟槽以及所述发射极沟槽一次成型且至少部分同层设置。