[实用新型]氮化镓半导体器件有效
| 申请号： | 202020290078.2 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN211529944U | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 姚卫刚 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/48 |
| 代理公司： | 珠海智专专利商标代理有限公司 44262 | 代理人： | 薛飞飞;黄国豪 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体器件 | ||
1.氮化镓半导体器件，其特征在于，包括：
晶体管，所述晶体管包括第一基板、栅极、源极和漏极，所述栅极、所述源极和所述漏极均位于所述第一基板的正面；
二极管，所述二极管包括第二基板、阳极和阴极，所述阳极和所述阴极中的至少一个位于所述第二基板的正面，所述第一基板的背面与所述第二基板的背面粘结固定；
密封材料，所述密封材料至少部分包裹所述晶体管和所述二极管；
第一电气互连件，所述第一电气互连件将所述源极与所述阳极电连接；
第二电气互连件，所述第二电气互连件将所述漏极与所述阴极电连接；
所述第一电气互连件和所述第二电气互连件两者中的至少一个穿过所述密封材料。
2.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述二极管为横向PN结二极管或氮化镓二极管。
3.根据权利要求2所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述密封材料中开设有两个穿玻通孔，所述第一电气互连件位于一个所述穿玻通孔内，所述第二电气互连件位于另一个所述穿玻通孔内。
4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一基板与所述第二基板通过绝缘胶或焊膏粘结固定。
5.根据权利要求1所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述二极管为纵向PN结二极管。
6.根据权利要求5所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述密封材料中开设有穿玻通孔，所述第一电气互连件位于所述穿玻通孔内；
所述晶体管中开设有穿硅通孔，所述第二电气互连件位于所述穿硅通孔内。
7.根据权利要求6所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一基板的背面设置有第一金属层，所述第一金属层与所述漏极通过所述第二电气互连件电连接；
所述第二基板的背面设置有与所述第一金属层电连接的第二金属层，所述第二金属层与所述阴极电连接。
8.根据权利要求7所述的氮化镓半导体器件，其特征在于：
所述第一金属层与所述第二金属层通过导电胶粘结固定。
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