[实用新型]防倒灌电路和用电设备有效
| 申请号： | 202020304926.0 | 申请日： | 2020-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN211701483U | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张木林;梁能;洪绍鑫;赖建岳;廖奇泊 | 申请（专利权）人： | 北京绿能芯创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H11/00 | 分类号： | H02H11/00 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 101300 北京市顺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒灌 电路 用电 设备 | ||
1.一种防倒灌电路，其特征在于，包括：功率电路、采样电路和控制电路；
所述采样电路的连接输入电压Vin，并通过所述功率电路连接所述控制电路，从而控制所述控制电路中的PMOS管Q1。
2.根据权利要求1所述的防倒灌电路，其特征在于，所述采样电路包括串联的电阻R10和电阻R13，所述电阻R10的一端连接输入电压Vin，另一端通过所述电阻R13接地。
3.根据权利要求2所述的防倒灌电路，其特征在于，所述功率电路包括：电阻R3、比较器U2和光耦U10；
所述电阻R3的一端连接输入电压Vin，另一端连接所述光耦U10中发光二极管的阳极，所述比较器U2的阳极连接在所述电阻R13与地之间，所述比较器U2的阴极连接所述光耦U10中发光二极管的阴极，所述比较器U2的参考极连接在所述电阻R10和所述电阻R13之间；
所述光耦U10中光敏三极管的发射极接地，所述光耦U10中光敏三极管的集电极连接所述控制电路。
4.根据权利要求3所述的防倒灌电路，其特征在于，所述控制电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R6和所述PMOS管Q1；
所述电阻R6的一端连接所述光耦U10，所述电阻R1和所述电阻R2的一端并联在所述电阻R6的另一端；
所述电阻R2的另一端连接电池电压Vcharge；
所述电阻R1的另一端连接所述PMOS管Q1的栅极，所述PMOS管Q1的源极连接电池电压Vcharge，所述PMOS管Q1的漏极连接输入电压Vin。
5.一种用电设备，其特征在于，包括权利要求1至4所述的任一项防倒灌电路。
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