[实用新型]具有多重限制隔离的VCSEL

权利要求书

1.一种具有多重限制隔离的VCSEL，包括自下而上依次层叠的衬底、N-DBR层、有源层、限制隔离层和P-DBR层，其特征在于，所述限制隔离层包括自下而上依次层叠的第一氧化层、第二氧化层、第三氧化层和离子注入层，所述第一氧化层的氧化深度、第二氧化层的氧化深度、第三氧化层的氧化深度和离子注入层的离子扩散深度依次减小，所述第一氧化层的氧化末端呈第一尖形，该第一尖形的顶点位于所述第一氧化层的上下表面之间且靠近所述第一氧化层的上表面设置，所述第二氧化层的氧化末端呈第二尖形，所述第二尖形的顶点与所述第二氧化层的下表面齐平，所述第三氧化层的氧化末端呈第三尖形，所述第三尖形的顶点与所述第三氧化层的下表面齐平，所述第三尖形靠上一侧的倾斜角大于所述第二尖形靠上一侧的倾斜角。

2.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述第二氧化层的氧化深度比所述第一氧化层的氧化深度小0.5-1.5um，所述第三氧化层的氧化深度比所述第二氧化层的氧化深度小1-5um。

3.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述离子注入层的离子扩散深度与所述第三氧化层的氧化深度的比例为7/10至8/10。

4.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述离子注入层的注入厚度为2-3.2um。

5.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述第三尖形靠上一侧沿垂直方向切得的边长与所述第二尖形靠上一侧沿垂直方向切得的边长为2-3um。

6.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述第一尖形靠上一侧的端点与所述第一尖形靠下一侧的端点之间的水平距离为1-2um。

7.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，所述第一尖形靠上一侧的倾斜角、所述第一尖形靠下一侧的倾斜角、所述第二尖形靠上一侧的倾斜角和所述第三尖形靠上一侧的倾斜角的范围为15-50度。

8.根据权利要求1所述的具有多重限制隔离的VCSEL，其特征在于，还包括应变缓冲层、N型限制层、第一波导层、第二波导层、P型限制层、P 型截止层和P型盖层，所述衬底、应变缓冲层、N-DBR层、N型限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、P型限制层、P型截止层、限制隔离层、P-DBR层和P型盖层自下而上依次层叠。