[实用新型]防止硅片粘连的硅片承载器有效
申请号: | 202020312591.7 | 申请日: | 2020-03-13 |
公开(公告)号: | CN211670179U | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 刘哲伟;马南;李海楠;李佳;张宝庆;朱道峰;要博卿;王慧杰;李向东 | 申请(专利权)人: | 北京市塑料研究所 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 吕伟盼 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 硅片 粘连 承载 | ||
1.一种防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,包括承载器框架,所述承载器框架的立面设有多个纵向齿,相邻的所述纵向齿之间形成纵向卡位,所述承载器框架的底部设有多个卡槽;所述卡槽与所述纵向卡位一一对应,多个所述卡槽的最低点均靠近其所对应的所述纵向卡位的纵向中心的相同一侧。
2.根据权利要求1所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述卡槽的横截面为V形形状。
3.根据权利要求1所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述卡槽的底部为平滑的弧面。
4.根据权利要求1所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述纵向齿设有第一过渡弧面。
5.根据权利要求1所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述承载器框架的底部设有多个凸起的底部齿,所述卡槽由所述底部齿间隔形成,所述底部齿的齿形为倒V形。
6.根据权利要求5所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述底部齿与所述纵向齿对应相连。
7.根据权利要求1所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述纵向齿设有支撑部,所述支撑部凸出于所述纵向齿的齿侧。
8.根据权利要求7所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述支撑部呈半球形。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,所述承载器框架的两个相对的立面分别设有第一组纵向齿和第二组纵向齿,所述第一组纵向齿与所述第二组纵向齿大小相同且一一对应。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的防止硅片粘连的硅片承载器,其特征在于,由聚偏氟乙烯制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造