[实用新型]一种铌酸锂薄膜电光调制器

权利要求书

1.一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，包括：铌酸锂薄膜芯片、高数值孔径光纤、光纤套管，

所述高数值孔径光纤放置于所述光纤套管中，所述高数值孔径光纤的光纤纤芯和所述铌酸锂薄膜芯片的光波导精密对准，所述铌酸锂薄膜芯片的端面和所述光纤套管的端面相耦合粘接连接。

2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，

所述高数值孔径光纤放置于所述光纤套管的沟槽或圆孔中，沟槽或圆孔与光纤之间的空隙中填充紫外胶水固化，所述铌酸锂薄膜芯片的端面和所述光纤套管的端面之间填充紫外胶水进行耦合粘接连接。

3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述高数值孔径光纤为纤芯数值孔径在0.15至0.6、纤芯直径在1.0μm～7.0μm的保偏单模光纤或非保偏单模光纤。

4.根据权利要求3所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述高数值孔径光纤的纤芯数值孔径在0.3至0.5。

5.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述光纤套管采用铌酸锂、钽酸锂、石英、玻璃、硅晶体材料中的其中一种。

6.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜芯片和所述光纤套管的抛光角度适用下述中的任一种：

第一种：所述铌酸锂薄膜芯片为75°～90°的角度，所述光纤套管相应地抛光成70°～90°的角度；

第二种：所述铌酸锂薄膜芯片抛光为90°～105°的角度，所述光纤套管相应地抛光成90°～110°的角度。

7.根据权利要求6所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜芯片和所述光纤套管的抛光角度适用下述中的任一种：

第一种：所述铌酸锂薄膜芯片的抛光角度为84.5°±1°，所述光纤套管相应的抛光角度为82°±1°；

第二种：所述铌酸锂薄膜芯片的抛光角度为95.5°±1°，所述光纤套管相应的抛光角度为98°±1°。

8.根据权利要求1所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述铌酸锂薄膜芯片包括：基底晶片、铌酸锂薄膜基板、光波导、金属电极、缓冲层薄膜；

所述基底晶片的厚度在0.2mm～2mm；

所述铌酸锂薄膜基板放置在所述基底晶片上，为具有单晶质量的光学级铌酸锂材料，厚度在0.1μm～30μm；

所述光波导形成于所述铌酸锂薄膜基板中，且为马赫-曾德尔干涉仪状的波导结构；

所述缓冲层薄膜放置于所述铌酸锂薄膜基板的上表面，厚度在0.1μm～2μm。

9.根据权利要求8所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，所述光波导的输入端口和输出端口具有如下位置设置：第一位置设置，分别位于铌酸锂薄膜基板的左侧和右侧；第二位置设置，作为光波导的输入端口和输出端口分别放置于铌酸锂薄膜基板的底侧。

10.根据权利要求8所述的一种铌酸锂薄膜电光调制器，其特征在于，

当为第一位置设置时，金属电极包括：调制区电极、90°弯曲电极、锥形过渡电极、电极焊盘，其中，调制区电极用于通过铌酸锂晶体的线性电光效应对传输于光波导中的光波进行相位调制，金属电极的上述各组成部分均由2支接地电极与1支信号电极组成的G-S-G共面波导结构，即信号电极居中放置，两支接地电极分置于信号电极的左右两侧，调制区电极中的信号电极放置于马赫-曾德尔干涉仪光波导的双臂中间的上方，两支接地电极分别放置于信号电极的两侧并相对于双臂对称地放置；

当为第二位置设置时，光波导包括：直条波导、90°弯曲波导、马赫-曾德尔干涉仪波导；金属电极包括：调制区电极、锥形过渡电极、电极焊盘，直条波导通过90°弯曲波导与放置于铌酸锂薄膜基板的中间处的MZ干涉仪波导相连接；金属电极中的调制区电极直接通过锥形过渡电极与电极焊盘相连接，无需再通过90°弯曲电极的转换；调制区电极放置于MZ干涉仪波导处，电极焊盘放置于铌酸锂薄膜基板的左侧和右侧。