[实用新型]功率模块结构和功率模块封装体

说明书

本实用新型设计功率器件封装技术领域，具体涉及一种功率模块结构和功率模块封装体。所述功率模块结构包括：引线框架，所述引线框架上焊接有第一芯片；第二芯片，所述第二芯片设于所述第一芯片上，并通过导电胶与所述第一芯片耦合连接。其中封装体包括基板，所述基板上开设有定位孔，如本实用新型第一方面所述的功率模块结构设于所述定位孔中；在所述定位孔周围的基板上设有金属线，所述功率模块结构的引出端连接所述金属线；下散热板，所述下散热板设于所述基板下，用于对功率模块结构进行散热。本实用新型提供一种功率模块结构及其封装体，能够提高器件响应速度的同时减小器件尺寸。

技术领域

本实用新型设计功率器件封装技术领域，具体涉及一种功率模块结构和功率模块封装体。

背景技术

智能功率模块（Intelligent Power Module，IPM），是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类半导体封装结构。IPM的封装结构包括：驱动芯片，功率器件，模块封装，MCU，变频方案以及控制编程软件。

目前相关技术中，通常将每个功能芯片封装后再单个安装在基板上，所述功能芯片包括三极管、二极管。IC控制芯片或者绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate BipolarTransistor，IGBT）芯片等。这样最终的产品结构体积大，成本高。

另一种IPM封装结构是将上述各种功能芯片集成在同一封装体中，但是基本采用的双列直插式封装技术（Dual In-line Package，DIP）封装，封装厚度厚，而且散热效果不佳，不符合现在产品轻薄化的需求。另外内部芯片排列不合理，传统IPM为了迎合封装要求，只能使用长方形的IGBT器件，极大的影响了器件的响应速度和元胞性能的均匀性。

发明内容

为了解决现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种功率模块结构和功率模块封装体，能够提高器件响应速度的同时减小器件尺寸。

根据本实用新型提供的技术方案，作为本实用新型的第一方面，提供一种功率模块结构，所述功率模块结构包括：

引线框架，所述引线框架上焊接有第一芯片；

第二芯片，所述第二芯片设于所述第一芯片上，并通过粘接结构与所述第一芯片耦合连接；所述粘接结构与所述第一芯片的接触面积为所述第一芯片横截面积的二分之一；

第三芯片，所述第三芯片设于所述第一芯片的周围。

可选的，所述第三芯片的中心与所述第一芯片的中心之间的直线距离为200um-1mm。

可选的，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为控制芯片，所述第三芯片为晶体管芯片。

可选的，所述第二芯片和第一芯片的周围包覆有环氧树脂，通过所述环氧树脂封装在所述引线框架上。

可选的，所述环氧树脂中含有3％~5％的氮化铝。

作为本实用新型的第二方面，提供一种功率模块封装体，包括：

下基板，所述下基板上开设有所述定位孔，所述下基板的边缘向外延伸形成连接外沿；

上基板，所述上基板盖设于所述定位孔上，所述上基板的边缘与所述下基板耦合，金属线设置与所述上基板上；

本实用新型第一方面所述的功率模块结构设于所述定位孔中，所述功率模块结构的引线框架的安装在所述上基板的下表面，所述功率模块结构的引出端连接所述金属线；所述功率模块结构的引出端、上基板和下基板间形成电性通路；

下散热板，所述下散热板设于所述下基板下，用于对功率模块结构进行散热。

可选的，所述下基板和下散热板之间设有第一硅橡胶层，所述第一硅橡胶层与所述功率模块结构接触。