[实用新型]一种高纯镓的制备装置

权利要求书

1.一种高纯镓的制备装置，其特征在于，包括结晶槽、介质循环槽和放置装置；所述结晶槽底部为锥形，锥形底部设置有流通孔；所述介质循环槽包括n个独立的介质循环槽，n个所述介质循环槽从下至上依次分布在结晶槽外部，其中n为整数，5≤n≤10，每个介质循环槽都有独立的进口和出口，n个所述介质循环槽的体积和与结晶槽体积比例为0.4～0.7:1，第n介质循环槽与结晶槽的高度比例为0.01～0.1:1；所述放置装置包括放置开关、放置管和推进器，放置开关设置在放置管的上部，推进器位于放置管内；所述流通孔与放置管连接，流通孔的孔径小于晶种尺寸，流通孔下部与放置开关上部的空间能够容纳晶种；所述放置开关打开时能够使推进器将晶种推入到流通孔下部；所述结晶槽、放置装置均为非极性塑料材质。

2.根据权利要求1所述的一种高纯镓的制备装置，其特征在于，所述放置管和推进器的连接方式为螺纹连接或活塞连接。

3.根据权利要求1所述的一种高纯镓的制备装置，其特征在于，n个所述介质循环槽的体积和与结晶槽体积比例为0.45～0.6:1。

4.根据权利要求1所述的一种高纯镓的制备装置，其特征在于，所述第n介质循环槽的高度与结晶槽的高度比例为0.02～0.05:1。