[实用新型]升降压驱动电路和空调器

权利要求书

1.一种升降压驱动电路，其特征在于，包括：

降压型电路，所述降压型电路被配置为能够对供电信号进行降压处理或整流处理，所述降压型电路包括：

桥式电路，所述桥式电路的两路相邻的桥臂均设有一个双向导通功率管，所述降压型电路中的另两路相邻的桥臂分别设置有第一反向阻断开关管和第二反向阻断开关管；

第三反向阻断开关管，所述第三反向阻断开关管的两端连接至所述桥式电路的输出端；

升压型电路，所述升压型电路的输入端连接至所述第三反向阻断开关管的输出端，所述升压型电路被配置为能够对所述供电信号进行升压调制。

2.根据权利要求1所述的升降压驱动电路，其特征在于，还包括：

感性元件，所述感性元件的第一端连接至所述第三反向阻断开关管的高压输出端，所述感性元件的第二端连接至所述升压型电路的高压输入端。

3.根据权利要求2所述的升降压驱动电路，其特征在于，所述升压型电路包括：

第一功率管，连接于所述感性元件的第二端与所述第三反向阻断开关管的低压输出端之间；

第二功率管，连接于所述感性元件的第二端与负载的高压输入端之间；

容性元件，连接于所述负载的高压输入端与所述第三反向阻断开关管的低压输出端之间，所述第三反向阻断开关管的低压输出端与所述负载的低压输入端为共端点，

其中，控制所述第一功率管和第二功率管交替导通，以对所述供电信号进行升压调制。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的升降压驱动电路，其特征在于，反向阻断开关管具体包括：

第一N沟道金属氧化物半导体管和第二N沟道金属氧化物半导体管，两个N沟道金属氧化物半导体管的漏极相接；

比较器，所述第一N沟道金属氧化物半导体管的源极连接至所述比较器的第一输入端，所述第二N沟道金属氧化物半导体管的源极连接至所述比较器的第二输入端；

控制器，所述控制器的输入端连接至所述比较器的输出端，所述控制器的输出端连接至N沟道金属氧化物半导体管的栅极。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的升降压驱动电路，其特征在于，反向阻断开关管包括：

第一P沟道金属氧化物半导体管和第二P沟道金属氧化物半导体管，两个P沟道金属氧化物半导体管的源极相接；

比较器，所述第一P沟道金属氧化物半导体管的漏极连接至所述比较器的第一输入端，所述第二P沟道金属氧化物半导体管的漏极连接至所述比较器的第二输入端；

控制器，所述控制器的输入端连接至所述比较器的输出端，所述控制器的输出端连接至P沟道金属氧化物半导体管的栅极。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的升降压驱动电路，其特征在于，反向阻断开关管包括：

串联的二极管和金属氧化物半导体管，所述金属氧化物半导体管设有反并联的二极管，所述二极管的导通方向与所述反并联的二极管的导通方向相反。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的升降压驱动电路，其特征在于，所述第一反向阻断开关管和或所述第二反向阻断开关管为二极管。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的升降压驱动电路，其特征在于，

所述第三反向阻断开关管为二极管。

9.根据权利要求3所述的升降压驱动电路，其特征在于，

所述第二功率管为二极管。

10.一种空调器，其特征在于，包括：

电机；

如权利要求1至9中任一项所述的升降压驱动电路，所述驱动电路被配置为控制所述电机运行。