[实用新型]集成光学传感器

权利要求书

1.一种集成光学传感器，其特征在于，至少包含：

一基板，具有多个感测像素；

一光模组层，位于该基板上；以及

多个微透镜，位于该光模组层上，其中该光模组层的厚度定义出所述多个微透镜的焦距，所述多个微透镜将来自一目标物的目标光线，通过该光模组层作光学处理后聚焦于所述多个感测像素中，该光模组层至少包含一滤光结构层，来对该目标光线作滤光处理，其中该光模组层是由相容于互补金属氧化物半导体CMOS工艺的材料所构成，使得该滤光结构层能被整合于该CMOS工艺中。

2.如权利要求1所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含一第二金属阻光层，以及位于该第二金属阻光层下方以及该滤光结构层上方的一第二金属层间介电层，且该目标光线依序通过该第二金属阻光层的多个第二光孔及该滤光结构层而进入所述多个感测像素，其中该基板、所述多个微透镜及该光模组层是由相容于该CMOS工艺的材料所构成。

3.如权利要求1所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含一第一金属阻光层以及位于该第一金属阻光层上方以及该滤光结构层下方的一第一金属层间介电层，且该目标光线依序通过该滤光结构层及该第一金属阻光层的多个第一光孔而进入所述多个感测像素，其中该基板、所述多个微透镜及该光模组层是由相容于该CMOS工艺的材料所构成。

4.如权利要求3所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含：

一第二金属阻光层，位于该滤光结构层的上方，并具有多个第二光孔让该目标光线通过；以及

一第二金属层间介电层，位于该滤光结构层与该第二金属阻光层之间。

5.如权利要求3所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含：

一下介电模组层，位于所述多个感测像素上，其中该第一金属阻光层位于该下介电模组层上，该滤光结构层位于该第一金属阻光层上方；

一第二金属阻光层，位于该滤光结构层的上方，并具有多个第二光孔让该目标光线通过；

一第二金属层间介电层，位于该滤光结构层与该第二金属阻光层之间；以及

一上介电模组层，位于该第二金属阻光层上，其中所述多个微透镜位于该上介电模组层上。

6.如权利要求5所述的集成光学传感器，其特征在于，该上介电模组层为一高折射材料滤光层。

7.如权利要求5所述的集成光学传感器，其特征在于，该上介电模组层与该下介电模组层的每一个包含该CMOS工艺中的层间介电层、金属层间介电层及金属层的一部分或全部。

8.如权利要求3所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含：

一下介电模组层，位于所述多个感测像素上，其中该滤光结构层位于该下介电模组层上，该第一金属阻光层位于该滤光结构层上方；

一第二金属阻光层，位于该滤光结构层的上方，并具有多个第二光孔让该目标光线通过；

一第二金属层间介电层，位于该第一金属阻光层与该第二金属阻光层之间；以及

一上介电模组层，位于该第二金属阻光层上，其中所述多个微透镜位于该上介电模组层上。

9.如权利要求8所述的集成光学传感器，其特征在于，该上介电模组层为一高折射材料滤光层。

10.如权利要求8所述的集成光学传感器，其特征在于，该上介电模组层与该下介电模组层的每一个包含该CMOS工艺中的层间介电层、金属层间介电层及金属层的一部分或全部。

11.如权利要求3所述的集成光学传感器，其特征在于，该光模组层还包含一抗反射层，设置于该滤光结构层及该第一金属阻光层的一者或两者上，用于吸收反射的杂散光。

12.如权利要求1所述的集成光学传感器，其特征在于，还包含一连线层组，其中该基板设置于该连线层组上。