[实用新型]一种LED显示器像素单元结构

说明书

本实用新型涉及显示器制造领域，具体涉及一种LED显示器像素单元结构，包括一显示背板，所述显示背板上阵列划分为多个像素区域；每个像素区域，包括，第一、第、第三LED芯片，以及设置在所述显示背板上的高度为h1的第一凸台和高度为h2的第二凸台；所述第一凸台的高度h1小于或等于所述第二凸台的高度h2；所述第一LED芯片设置于所述像素区域内的显示背板上，所述第一LED芯片包括有第一电极组，所述第一电极组高度为hr，hr≥h2；所述第二LED芯片设置于所述第一凸台上，所述第三LED芯片设置于所述第二凸台上。

技术领域

本实用新型涉及LED显示装置制造技术领域，尤其涉及一种LED显示器像素单元结构。

背景技术

随着市场对显示屏的要求日渐提高，微间距显示屏越见越微，Micro-LED迅速导入市场，而平均每块微间距面板的LED使用量更是以几何级数上升，除了要解决“量”的问题，还有“质”的考虑，如花屏、死点、不同观赏角度的亮度一致性等。

“巨量转移”难度高企，成为目前Micro-LED实现产业化的拦路虎，这件事情在业界已经不是秘密。为此，专注巨量转移技术的各类企业也是各出奇招，纷纷希望借此契机克服难关，提高转移效率，以推进Micro-LED进一步实现产业化。传统的LED在封装环节，主要采用真空吸取的方式进行转移。但由于真空管在物理极限下只能做到大约80μm，而 Micro-LED的尺寸基本小于50μm，所以真空吸附的方式在MicroLED时代不再适用。但顺延着“吸取”的逻辑，目前业界诞生出至少三种精准抓取(Fine Pick/Place)的技术：“静电力”、“凡德瓦力”和“磁力”。此外，脑洞大开的技术咖，又开发出选择性释放(Selective Release)、自组装(Self-Assembly)及转印(Roll Printing)三个方向的黑科技。但无论用什么方法，巨量转移的难点在于，如何提升转移良率到99.9999％(俗称的”六个九”)，且每颗芯片的精准度必须控制在正负0.5μm以内，同时还要兼顾转移效率。

发明内容

基于以上问题，本实用新型设计一种LED显示器像素单元结构以及巨量转移方法，能够很好的实现微LED芯片的巨量转移，LED显示器像素单元结构如下：

一种LED显示器像素单元结构，包括一种LED显示器像素单元结构，其特征在于，包括一显示背板，所述显示背板上阵列划分为多个像素区域；

每个像素区域，包括，第一LED芯片、第二LED芯片及第三LED芯片，以及设置在所述显示背板上的高度为h1的第一凸台和高度为h2的第二凸台；所述第一凸台的高度h1 小于或等于所述第二凸台的高度h2；

所述第一LED芯片设置于所述像素区域内的显示背板上，所述第一LED芯片包括有第一

电极组，所述第一电极组高度为hr，hr≥h2；

所述第二LED芯片设置于所述第一凸台上，

进一步的，所述第一LED芯片的高度为h_R所述第二LED芯片包括有第二电极组，所述第一电极组高度为h_g，hg+h1＞h_R。

进一步的，所述第二LED芯片的高度为h_G所述第三LED芯片包括有第三电极组，所述第三电极组的高度为h_b，h_b+h2≥h_G+h1。

进一步的，所述显示背板、所述第一凸台及所述第二凸台上分别形成有与所述第一电极组、所述第二电极组及所述第三电极组相对应的键合所述LED芯片上的电极组，使所述第一LED芯片、所述第二LED芯片及所述第三LED芯片与所述显示背板电性连接。

本实用新型还涉及一种巨量转移方法，其包括如下步骤：