[实用新型]一种用单电源实现带保护的IGBT驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种用单电源实现带保护的IGBT驱动电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10，稳压管D1、D6、D7，二极管D2、D4、D5，双向稳压二极管D3，逻辑输出光电耦合器U1，绝缘栅双极型晶体管Q2，三极管Q1、Q3、Q4，电容C1、C2、C3、C4。本实用新型的电路成本低，可靠性高，保护参数方便调整，用单电源实现带保护的IGBT驱动。

技术领域

本实用新型涉及IGBT驱动电路，具体涉及一种用单电源实现带保护的 IGBT驱动电路。

背景技术

目前，在大功率开关电源，电力系统或者电车驱动等等都会用到IGBT。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT有着超低的导通压降和极大的通流能力，以及较高的开关速度，能大大提高系统的转换效率和可靠性，降低系统损耗和热量等众多优势。但IGBT在驱动控制上却有着较高的要求，对驱动电压的范围和每周期的过流控制，开启关断的尖峰电压都有着较高的要求，因此大部分的应用都会采用专用额IGBT驱动模块，以提降低驱动电路的设计难度提高可靠性，由于专用的IGBT驱动模块成本较高，且体积较大，且部分保护参数内部固定无法调整，并不能够满足任何情况下的应用，且需要正负双电源供电，大大提高系统设计成本。

发明内容

本实用新型针对上述问题，提供一种用单电源实现带保护的IGBT驱动电路。

本实用新型采用的技术方案为：一种用单电源实现带保护的IGBT驱动电路，包括电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10，稳压管D1、D6、D7，二极管D2、D4、D5，双向稳压二极管D3，逻辑输出光电耦合器U1，绝缘栅双极型晶体管Q2，三极管Q1、Q3、Q4，电容C1、C2、C3、C4；

逻辑输出光电耦合器U1的第一管脚输入端通过电阻R4连接PWM信号输入端；逻辑输出光电耦合器U1的第六管脚分别连接电容C1的正极、稳压管D1的负极、电阻R1、三极管Q1的集电极，并连接24伏电源；逻辑输出光电耦合器U1的第五管脚分别连接电阻R2、二极管D4的正极；逻辑输出光电耦合器U1的第四管脚分别连接电容C3的负极、稳压管D7的正极、电阻R8、电容C4、电阻R9、电阻R10、三极管Q1的发射极、电容C2、三极管Q3的集电极，并接地；电容C3的正极分别连接电容C1的负极、稳压管D1的正极、电阻R1、稳压管D7的负极、电阻R8、电阻R5、双向稳压二极管D3的一端、绝缘栅双极型晶体管Q2的发射极；三极管Q1的基极分别连接三极管Q3的基极、二极管D2的正极、电阻R2，三极管Q1的发射极分别连接三极管Q3的发射极、电阻R3，二极管D2的负极分别连接电阻R6、电容C2，三极管Q4的集电极连接电阻R6，三极管Q4的基极分别连接电阻 R10、稳压管D6的正极，稳压管D6的负极分别连接电阻R9、电容C4、电阻R7、二极管D5的正极，二极管D4的负极连接电阻R7，二极管D5的负极连接绝缘栅双极型晶体管Q2的集电极，绝缘栅双极型晶体管Q2的门极分别连接电阻R3、电阻R5、双向稳压二极管D3的另一端。

进一步地，所述电容C1、C3均为电解电容。

更进一步地，所述三极管Q1、Q4均为NPN型三极管，三极管Q3为PNP 型三极管。

更进一步地，所述电容C1、C3均为47微法电解电容。

更进一步地，所述电阻R2为330欧的电阻，所述电阻R7为510欧的电阻。

本实用新型的优点：

本实用新型的电路成本低，可靠性高，保护参数方便调整，用单电源实现带保护的IGBT驱动。