[实用新型]一种多层链式铁电存储器

权利要求书

1.一种多层链式铁电存储器，包括N个串联的存储单元及与所述存储单元连接的位选管，其中：

任一存储单元包括：

晶体管，包括源极、漏极和栅极，其中所述栅极与存储单元的字线连接；

铁电电容，包括下电极、上电极和位于下电极和上电极之间的铁电材料层，其中所述下电极与所述晶体管的源极或漏极连接，所述上电极与所述晶体管的漏极或源极连接；

所述位选管包括栅极、源极及漏极，其中所述栅极耦合至源极选择线；

其特征在于，所述N个存储单元的铁电电容堆叠设置，且相邻的铁电电容共用一个电极。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，各铁电电容的电极长度不同，每个电极均有部分暴露面，所述暴露面通过导电材料与对应晶体管的源极或漏极连接。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述暴露面位于各上电极及下电极的边缘，各存储单元的铁电电容的电极呈阶梯状排布。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述晶体管的源极与相邻存储单元的晶体管的漏极共用。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，最外侧存储单元的晶体管的漏极耦合至板线。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述位选管的漏极与所述存储单元未与板线连接一侧的晶体管的源极共用，所述位选管的源极耦合至位线。

7.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述位选管的源极与所述存储单元未与板线连接一侧的晶体管的源极共用，所述位选管的漏极耦合至位线。

8.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述上电极及下电极的材料为多晶硅或导电金属。

9.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述铁电材料层的材料为锆钛酸铅或层状钙钛矿结构的钛酸铋系材料或钽酸锶铋系材料或高k铁电材料。

10.如权利要求6或7所述的存储器，其特征在于，所述字线和/或所述板线和/或所述源极选择线和/或所述位线的材料为铂、铜、钨和/或其合金和/或其组合。