[实用新型]一种基于TFT技术制作的太阳能电池有效
申请号: | 202020352073.8 | 申请日: | 2020-03-19 |
公开(公告)号: | CN211265495U | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 王欢;陈海雷;韦培海;张泽鹏 | 申请(专利权)人: | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 刘春风 |
地址: | 620500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 tft 技术 制作 太阳能电池 | ||
1.一种基于TFT技术制作的太阳能电池,所述太阳能电池具有显示区、光伏区和电极区,其特征在于,所述太阳能电池包括透明基板,对应光伏区、所述透明基板上依次层叠设有第一前电极、光吸收层、背电极、第一绝缘层和第一金属层,所述第一绝缘层开设有第一大孔供第一金属层穿设至与背电极连接,用于太阳能电池的引出负极;对应电极区、所述透明基板上依次层叠设有第二前电极、第二绝缘层和第二金属层,所述第二绝缘层还开设有第二大孔供第二金属层穿设至与第二前电极连接,用于太阳能电池的引出正极。
2.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述第一大孔占光伏区的面积比例不小于五分之一。
3.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述第二大孔占电极区的面积比例不小于五分之一。
4.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述显示区还设有太阳能电池走线。
5.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述第二大孔的开孔边缘还具有光伏层和背电极时,所述光伏层和背电极的边缘应内缩于绝缘层的边缘设置。
6.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述透明基板为玻璃或者石英。
7.如权利要求1所述的一种基于TFT技术制作的太阳能电池,其特征在于,所述第一前电极和第二前电极的材质均为AZO。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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