[实用新型]一种LED芯片结构有效
| 申请号： | 202020353277.3 | 申请日： | 2020-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN211404520U | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 安金鑫;周充祐;李刘中;林子平;郑士嵩 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/46;H01L33/44 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 成姗 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片结构，其特征在于，包括生长基板，形成于所述生长基板上的外延层，形成于所述外延层上的2个焊垫，所述焊垫为金属焊垫，所述外延层的横截面面积由所述生长基板向所述焊垫的方向减小，使所述外延层的纵截面呈梯形形状，所述外延层的侧表面上形成有遮光层或反射层。
2.如权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述外延层包括第一半导体层、主动层及第二半导体层，所述第一半导体层及所述第二半导体层为N型半导体层或P型半导体层，所述第一半导体层及所述第二半导体层为不同类型的半导体层。
3.如权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述焊垫的材质为金、镍/金合金或ITO中的一种。
4.如权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述反射层为布拉格反射层。
5.如权利要求4所述的LED芯片结构，其特征在于，所述布拉格反射层为至少一层氧化钛及至少一层二氧化硅交错层叠。
6.如权利要求1所述的LED芯片结构，其特征在于，所述遮光层为光阻剂形成光阻层。
7.如权利要求6所述的LED芯片结构，其特征在于，所述光阻层为的黑色或白色。
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