[实用新型]一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀

说明书

本实用新型公开了一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀，包括：主体组件，所述主体组件包括阀体、阀腔、阀芯、连接杆、管体、阀杆和刻度盘，所述阀腔固定连接于所述阀体的内部，所述阀芯转动连接于所述阀腔的内部，所述连接杆固定连接于所述阀芯的上表面，所述连接杆贯穿所述阀体，所述管体固定连接于所述阀体的上表面，所述阀杆转动连接于所述管体的内侧壁，所述阀杆与所述连接杆的一端固定连接。在本装置使用的过程中，通过主体组件等部件的设置，可以根据单晶炉对单晶炉保护气的需求，将手柄对准刻度盘上的不同刻度，提高对阀芯操作的精准性，方便工作人员对单晶炉保护气输送的控制，满足单晶炉对对单晶炉保护气不同的需求。

技术领域：

本实用新型涉及单晶硅生产控制球阀技术领域，具体为一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀。

背景技术：

单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。比如85炉，是指主炉筒的直径大小，120、150等型号是由装料量来决定的，单晶直径在生长过程中可受到温度，提拉速度与转速，坩埚跟踪速度与转速，保护气体的流速等因素的影响。其中温度主要决定能否成晶，而速度将直接影响到晶体的内在质量，而这种影响却只能在单晶拉出后通过检测才能获知。温度分布合适的热场，不仅单晶生长顺利，而且品质较高；如果热场的温度分布不是很合理，生长单晶的过程中容易产生各种缺陷，影响质量，情况严重的出现变晶现象生长不出来单晶。因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出最合理的热场，从而保证生产出来的单晶的品质，在晶体生长分析与设计中，实验与数值仿真是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：(1)在第一阶段，利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。(2)在第二阶段，利用数值模拟是用来确定最佳的晶体生长工艺参数。

单晶炉保护气的流量通过球阀控制，但是球阀操作依靠人工经验，操作精准度差，特别是对于工作少的工作人员容易产生较大控制误差，影响单晶炉的使用，为此，提出一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀。

实用新型内容：

本实用新型的目的在于提供一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀，以解决上述背景技术中提出的问题。

本实用新型由如下技术方案实施：一种单晶硅生产用单晶炉控制球阀，包括：主体组件，所述主体组件包括阀体、阀腔、阀芯、连接杆、管体、阀杆和刻度盘，所述阀腔固定连接于所述阀体的内部，所述阀芯转动连接于所述阀腔的内部，所述连接杆固定连接于所述阀芯的上表面，所述连接杆贯穿所述阀体，所述管体固定连接于所述阀体的上表面，所述阀杆转动连接于所述管体的内侧壁，所述阀杆与所述连接杆的一端固定连接，所述刻度盘套接于所述管体的外侧壁；

密封组件，所述密封组件包括第一密封垫圈、第二密封垫圈、第三密封垫圈、螺纹通孔、螺纹杆、旋钮和法兰盘；

控制组件，所述控制组件包括手柄和防滑套筒。

作为本技术方案的进一步优选的：所述第一密封垫圈粘接于所述阀腔的内侧壁。

作为本技术方案的进一步优选的：所述第二密封垫圈粘接于所述连接杆的外侧壁，所述第三密封垫圈粘接于所述阀杆的外侧壁。

作为本技术方案的进一步优选的：两个所述法兰盘分别固定连接于所述阀体的两端。

作为本技术方案的进一步优选的：两个所述螺纹通孔分别开设于所述管体的两侧，两个所述螺纹杆分别螺纹连接于两个所述螺纹通孔的内侧壁，两个所述旋钮分别固定连接于两个所述螺纹杆的一端。

作为本技术方案的进一步优选的：所述手柄固定连接于所述阀杆的上表面，所述防滑套筒套接于所述手柄的外侧壁。