[实用新型]IGBT并联均流电路有效
申请号: | 202020361670.7 | 申请日: | 2020-03-20 |
公开(公告)号: | CN211377888U | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 杨志浩 | 申请(专利权)人: | 北京润科通用技术有限公司 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 姚璐华 |
地址: | 100192 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | igbt 并联 流电 | ||
本实用新型提供一种IGBT并联均流电路,包括至少两个并联的IGBT,以及与IGBT一一对应设置的滞回比较回路和第一电阻;滞回比较回路的第一电压输入端和电压输出端均与对应的IGBT的栅极连接,滞回比较回路的第二电压输入端与另一个IGBT的栅极连接;第一电阻连接在对应的IGBT的栅极和滞回比较回路的电压输出端之间。利用栅极信号反馈调节并联IGBT的开通关断速度;直接根据并联IGBT的栅极电压比对,来调整并联IGBT的栅极电压,相比利用IGBT的输出反馈调整均流,缩短了响应时间,进而提高了动态均流效果。以及本实用新型提供的IGBT并联均流电路,使用元器件较少,可实现紧凑布局,减小了电路板面积。
技术领域
本实用新型涉及伺服驱动控制技术领域,更具体地说,涉及一种IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)并联均流电路。
背景技术
现有的IGBT并联均流主要采用静态均流和动态均流两种措施。静态均流利用IGBT的芯片Vce(Collector-emitter saturation voltage,集电极-发射极电压)的正温度系数特性;电流增加时芯片功耗增加,此时芯片Vce增加,由于电阻分流效应减小电流,因此形成了一个负反馈,使静态均流趋于收敛。动态均流将2/3Rg的阻值接在栅极,而1/3Rg的阻值接在发射极上,由辅助1/3Rg的阻值形成的一个负反馈机制开通过程;借助换流回路杂散电感上产生电压差,降低开通较快的IGBT的栅极电压,减缓开通速度。另外在IGBT桥臂输出端通过电抗器连接在一起,通过连接的电感抑制变化较快一路来达到均流的目的。
现有的IGBT并联均流措施,大部分采用输出端反馈来调节输入端的信号,响应时间较慢,响应实时性较差。在IGBT开通速度较慢时,现有的IGBT并联均流措施具有一定的优势;在IGBT开关速度提高时,现有的IGBT并联均流措施,无法有效的响应反馈信号,造成均流效果较差。另外借助换流回路杂散电感来达到均流时,路径上过大的寄生电感会造成栅极在开通和关断时电压的震荡,寄生电感小时均流效果不明显。以及,在输出端串联电抗器可以起到一定的均流效果,但无法实现闭环调节,会造成负载的效率降低。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提出一种IGBT并联均流电路,欲缩短响应时间,进而提高动态均流效果。
为了实现上述目的,现提出的方案如下:
本实用新型提供一种IGBT并联均流电路,包括:至少两个并联的IGBT,以及与所述IGBT一一对应设置的滞回比较回路和第一电阻;
所述滞回比较回路的第一电压输入端和电压输出端均与对应的所述IGBT的栅极连接,所述滞回比较回路的第二电压输入端与另一个所述IGBT的栅极连接;
所述第一电阻连接在对应的所述IGBT的栅极和所述滞回比较回路的电压输出端之间。
可选的,所述滞回比较回路包括:比较器、第二电阻、第三电阻、第四电阻和第五电阻;
所述比较器的输出端为所述电压输出端;
所述第二电阻的一端为所述第一电压输入端,所述第二电阻的另一端与所述比较器的反相输入端连接;
所述第三电阻的一端为所述第二电压输入端,所述第三电阻的另一端与所述比较器的同相输入端连接;
所述第四电阻的一端接地,所述第四电阻的另一端与所述比较器的同相输入端连接;
所述第五电阻的一端与所述反相输入端连接,所述第五电阻的另一端与所述输出端连接。
可选的,所述第三电阻的阻值为零。
可选的,所述IGBT并联均流电路,还包括:
与所述IGBT一一对应设置的稳压管;
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