[实用新型]散热式射频测试平台

说明书

本实用新型涉及散热式射频测试平台，用于对含有射频微波信号端口的待测件进行测试，包括金属底座、压紧盖以及绝缘基座，所述绝缘基座的顶部开设有待测件放置槽，所述绝缘基座内设置有导热嵌件，所述导热嵌件的底面与金属底座的顶面贴合，所述导热嵌件内设置有接地针，所述接地针贯穿导热嵌件，所述接地针的上端与待测件接触，所述接地针的下端与金属底座接触，所述导热嵌件内还设置有导热组件，所述导热组件包括导热柱以及使得导热柱始终具有朝向待测件放置槽运动趋势的弹性件，所述导热柱的顶部延伸至待测件放置槽内。本实用新型提升了射频测试平台在测试过程中对于芯片的散热效果，降低了由于芯片的温度过高导致芯片失效的概率。

技术领域

本实用新型涉及测试平台的技术领域，尤其是涉及散热式射频测试平台。

背景技术

SiP(SysteminPackage)系统级封装，顾名思义，是指在一个封装体中集成一个系统。通常，这个系统需要封装多个芯片并能够独立完成特定的任务，如集成了CPU、DRAM、Flash等多个传统IC芯片的SiP系统级封装，其中也包括了含有射频集成电路单元的SiP封装，其引脚的引出方式常规采用BGA、QFN等封装扇出方式。

在对含有射频微波传输或超高速传输需求的IC、RFIC和SIP以及相关的封装基板、高频电路板的测试过程中，其射频微波传输频率或可达到20GHz甚至更高，如何高效、方便地对射频微波通道以及传统的控制通道、电源通道进行无损伤的测试，是目前急需解决的技术问题。

为解决上述问题，公开号为CN110441640A的中国发明公开了一种测试装置，用于对含有射频信号端子的被测装置进行测试，包括主体，该主体内嵌设有由导体制成的射频端子，射频端子内设有射频弹性探针，射频弹性探针的外部包裹有绝缘套；射频端子内还设有多根围绕在包裹有绝缘套的射频弹性探针周围的辅助弹性探针；射频端子的上端设有能分别供射频弹性探针和多根辅助弹性探针穿出的穿孔；射频弹性探针的上端能与被测装置的射频信号端子接触，射频弹性探针的下端与射频电缆内部导体导电连接，辅助弹性探针直接与射频端子导电接触；射频端子的下端能与射频电缆连接。

现有的一些大功率射频器件典型的封装方式有QFN及类QFN封装，其中间位置往往有一个较大的接地平面，射频口和其他的电源、控制口均设置于四周，由于介质基板、热沉块与壳体的镶嵌工艺公差容易造成芯片底面的不平整及引脚的高度不一致，从而容易导致测试平台上的散热面与芯片热沉面之间不能有效接触。这对于一些大功率芯片而言，其热功率可能有60W甚至更高，如果忽视热传导的设计是致命的。

但是上述发明未考虑对一些大功率射频芯片进行测试的情况，未针对散热进行进一步优化设计，散热效果较差，容易在测试过程中造成QFN类芯片热量堆积，温度过高造成芯片失效。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供散热式射频测试平台，提升了射频测试平台在测试过程中对于芯片的散热效果，降低了由于芯片的温度过高导致芯片失效的概率。

本实用新型的上述实用新型目的是通过以下技术方案得以实现的：

散热式射频测试平台，用于对含有射频微波信号端口的待测件进行测试，包括金属底座、设置于金属底座上用于将待测件压紧的压紧盖以及设置于金属底座内供待测件安装的绝缘基座，所述金属底座内设置有射频针，所述射频针的上端与待测件的射频微波信号端口接触，所述射频针的下端与射频电缆内部导体导电连接，所述绝缘基座的顶部开设有待测件放置槽，所述绝缘基座内设置有导热嵌件，所述导热嵌件的底面与金属底座的顶面贴合，所述导热嵌件内设置有接地针，所述接地针贯穿导热嵌件，所述接地针的上端与待测件接触，所述接地针的下端与金属底座接触，所述导热嵌件内还设置有导热组件，所述导热组件包括导热柱以及使得导热柱始终具有朝向待测件放置槽运动趋势的弹性件，所述导热柱的顶部延伸至待测件放置槽内。