[实用新型]一种变温电阻传感器

权利要求书

1.一种变温电阻传感器，其特征在于，包括条状带、输入电流引脚、输出电流引脚、第一检测电压引脚、第二检测电压引脚，所述条状带循环盘绕形成N个同心环结构，N≥3，所述条状带由器件基底、受试样品构成，所述器件基底上采用光刻的方式刻有同心环结构，所述同心环结构内镀有受试样品，所述条状带所构成的同心环的首端和尾端分别引出输入电流引脚、输出电流引脚，所述条状带所构成的同心环的外侧分别引出第一检测电压引脚、第二检测电压引脚。

2.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，还包括有保护层，所述保护层覆在受试样品的表面。

3.按照权利要求2所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述保护层的材质为氮化硅，或者氮化硅，或者氮化铝，或者氧化硅，或者氧化铝，或者氧化锌，或者氧化铪，或者氧化钛，其厚度为0.01-3μm。

4.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述条状带的宽度为1-500μm。

5.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述器件基底的材质为石英玻璃，或者单晶石英，或者单晶硅，或者氮化硅，或者碳化硅，或者氧化铝，或者氮化铝，或者硼硅玻璃，其厚度为100-1000μm。

6.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述受试样品的厚度约为0.01-3μm。

7.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述第一检测电压引脚、第二检测电压引脚对称连接于条状带所构成的除中心第一环和第N环之外的任一个同心环结构的两端。

8.按照权利要求1所述的一种变温电阻传感器，其特征在于，所述器件基底的背部与整个同心环结构对应的位置刻蚀有圆形的凹槽。