[实用新型]一种二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底有效
申请号: | 202020390521.3 | 申请日: | 2020-03-24 |
公开(公告)号: | CN211825696U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 张然;姜守振;邢坤瑜;查志鹏;刘润成;李双陆;王子睿 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | G01N21/65 | 分类号: | G01N21/65 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 李圣梅 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二氧化硅 纳米 交替 构成 周期 增强 基底 | ||
1.一种二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述基底从下到上依次包括PET膜衬底和多周期二氧化硅膜和金纳米块复合层;所述多周期二氧化硅膜和金纳米块复合层的每个周期由金纳米块和覆盖在金纳米块上的二氧化硅膜组成,所述多周期二氧化硅膜和金纳米块复合层至少由3个周期结构组成。
2.如权利要求1所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述PET膜衬底的厚度为0.1~0.5mm。
3.如权利要求1所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述多周期二氧化硅膜和金纳米块复合层中每一个周期结构下层为金纳米块,上层为二氧化硅膜。
4.如权利要求1所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述金纳米块的厚度为6~16nm,宽度为40~100nm,金纳米块之间的间距为2~8nm。
5.如权利要求4所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述金纳米块的厚度为8nm,宽度为50nm。
6.如权利要求1所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述二氧化硅膜的厚度为2~8nm。
7.如权利要求6所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述二氧化硅膜的厚度为3nm。
8.如权利要求1所述的二氧化硅及金纳米块交替构成的多周期拉曼增强基底,其特征在于,所述多周期二氧化硅膜和金纳米块复合层由3个周期结构组成。
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