[实用新型]一种轻载模式判定电路及应用该电路的开关电源有效

专利信息
申请号: 202020391784.6 申请日: 2020-03-25
公开(公告)号: CN211959042U 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 高耿辉;李昌;张传军 申请(专利权)人: 厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M3/156
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 钱莉;蔡学俊
地址: 361008 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 模式 判定 电路 应用 开关电源
【权利要求书】:

1.一种轻载模式判定电路,其特征在于,包括第一比较器Comp1、第二比较器Comp2、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、RS触发器以及第一与非门NAND1;该轻载模式判定电路包括四个端口,分别为FB端口、VREF端口、COMP端口、COMP_VTHL端口以及Light_Load_L端口;

所述第一比较器Comp1的正输入端连接至COMP端口,负输入端连接至COMP_VTHL端口,输出端连接至第一反相器INV1的输入端;所述第一反相器INV1的输出端连接至第二反相器INV2的输入端,所述第二反相器INV2的输出端分别与第三反相器INV3的输入端、RS触发器的S端相连;所述第二比较器COMP2的正输入端连接至FB端口,负输入端连接至VREF端口,输出端连接至RS触发器的R端;所述RS触发器的Q端连接至第四反相器INV4的输入端,所述第四反相器INV4的输出端与第三反相器INV3的输出端分别连接至第一与非门NAND1的两个输入端,所述第一与非门NAND1的输出端连接至Light_Load_L端口。

2.根据权利要求1所述的一种轻载模式判定电路,其特征在于,所述第一比较器Comp1包括电流源I1、第一N沟道MOS管至第五N沟道MOS管N21-N25、第一P沟道MOS管至第七P沟道MOS管P21-P27;

电流源I1的一端分别与第三P沟道MOS管P23的漏极与栅极、第四P沟道MOS管P24的栅极与第五P沟道MOS管P25的栅极相连;所述第三P沟道MOS管P23的源极、第一P沟道MOS管P21的源极、第四P沟道MOS管P24的源极、第二P沟道MOS管P22的源极以及第五P沟道MOS管P25的源极均连接至VCC;电流源I1的另一端、第一N沟道MOS管N21的源极、第二N沟道MOS管N22的源极、第三N沟道MOS管N23的源极、第四N沟道MOS管N24的源极以及第五N沟道MOS管N25的源极均接地;所述第一P沟道MOS管P21的漏极与栅极相连,并与第二P沟道MOS管P22的栅极、第一N沟道MOS管N21的漏极相连;所述第二N沟道MOS管N22的漏极与栅极相连并连接至第六P沟道MOS管P26的漏极以及第一N沟道MOS管N21的栅极,所述第三N沟道MOS管N23的漏极与栅极相连并连接至第七P沟道MOS管P27的漏极以及第四N沟道MOS管N24的栅极;所述第六P沟道MOS管P26的源极与第七P沟道MOS管P27的源极相连并连接至第四P沟道MOS管P24的漏极;所述第二P沟道MOS管P22的漏极与第四N沟道MOS管N24的漏极相连,并连接至第五N沟道MOS管N25的栅极;所述第五P沟道MOS管P25的漏极与第五N沟道MOS管N25的漏极相连,并作为所述第一比较器Comp1的输出端;所述第六P沟道MOS管P26的栅极作为第一比较器Comp1的正输入端,所述第七P沟道MOS管P27的栅极作为第一比较器Comp1的负输入端。

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