[实用新型]一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构

权利要求书

1.一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于它包括中频加热线圈、石墨毡保温层、内坩埚、籽晶托、外坩埚、气体冷却装置和外坩埚盖，中频加热线圈设置在石墨毡保温层外圈，石墨毡保温层设置在外坩埚外圈，内坩埚与外坩埚构成可分离式嵌套结构的坩埚，内坩埚内装填碳化硅原料，籽晶托为内坩埚盖，设置在内坩埚上方，外坩埚的坩埚壁呈梯度分布，由下至上直径逐渐变小，外坩埚盖上部设有均匀的气体冷却装置。

2.根据权利要求1所述的一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的外坩埚的坩埚壁由下至上直径渐变角度为10~40°范围内。

3.根据权利要求2所述的一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的气体冷却装置包括呈环形均匀分布在外坩埚盖上部的冷却管，冷却管直径为10-20mm，冷却管排布间隙为50-100mm范围内，冷却管为钨管或钼管，冷却管内填充的冷却气体为氩气或氮气。

4.根据权利要求3所述的一种PVT法生长大尺寸碳化硅单晶的热场结构，其特征在于所述的外坩埚内侧设置有保证内、外坩埚可分离的铱金镀层。