[实用新型]一种成膜用炉管机台

说明书

本实用新型公开了一种成膜用炉管机台，其包括：限定反应腔的主体，所述主体一端封闭，另一端开口；用于加热反应腔的主加热器，所述主加热器围绕所述主体的外周设置；用于承载晶圆的晶舟，所述晶舟位于所述反应腔内；底盖，所述底盖支撑晶舟并且用于封闭所述主体的开口；以及辅助加热器，所述辅助加热器固定于所述底盖上并且部分地位于所述晶舟内，用于对反应腔的下部区域进行加热。本实用新型提供的成膜用炉管机台能够改善晶圆的成膜均匀度并且能够提升产能利用率。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，尤其涉及一种成膜用炉管机台。

背景技术

在半导体生产制造过程中，炉管机台通常都是满晶舟生产，但是有些制程(例如HTO(高温氧化)、DPOLY(原位掺杂多晶硅)等)由于工艺原因往往无法满足满晶舟生产要求，产生较大的批次损失。

例如，就HTO立式炉管机台而言，由于底部区域温度损失较大，位于底部区域的晶圆的成膜厚度远低于位于其他区域的晶圆的成膜厚度，无法达到要求，由此导致HTO产能利用率低。当制造瓶颈为HTO时，只能通过购买更多昂贵的炉管机台设备来弥补产能损失，然而，这种方式成本高且不能从根本上提升产能利用率。

基于此，现有技术仍然有待改进。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型旨在提供一种能够提升产能利用率的成膜用炉管机台。

根据本实用新型，提供一种成膜用炉管机台，包括：

限定反应腔的主体，所述主体一端封闭，另一端开口；

用于加热反应腔的主加热器，所述主加热器围绕所述主体的外周设置；

用于承载晶圆的晶舟，所述晶舟位于所述反应腔内；

底盖，所述底盖支撑晶舟并且用于封闭所述主体的开口；以及

辅助加热器，所述辅助加热器固定于所述底盖上并且部分地位于所述晶舟内，用于对反应腔的下部区域进行加热。

根据一个实施例，所述辅助加热器包括盘部和与所述盘部连接的管部，其中所述盘部位于所述晶舟内。

根据一个实施例，所述盘部包括真空腔体和设置在所述真空腔体内的电加热丝。

根据一个实施例，所述底盖设置有孔，所述辅助加热器的所述管部穿过所述孔固定于所述底盖上。

根据一个实施例，所述晶舟包括底部端板、顶部端板和设置在所述底部端板和所述顶部端板之间的多个支撑杆，其中所述底部端板支撑在所述底盖上，其中所述支撑杆上设置有用于放置晶圆的晶圆槽。

根据一个实施例，所述底部端板限定中心孔，所述辅助加热器穿过所述底部端板的所述中心孔固定于所述底盖上。

根据一个实施例，所述辅助加热器的所述盘部与所述晶舟、所述底盖同轴设置，所述辅助加热器的所述管部相对于所述晶舟、所述底盖偏置设置。

根据一个实施例，所述反应腔内设置有多个温度传感器，其中至少一个温度传感器靠近所述辅助加热器设置。

根据一个实施例，所述辅助加热器为石英加热器。

根据一个实施例，所述成膜用炉管机台为高温氧化制程用炉管机台。

采用上述技术方案，本实用新型至少具有如下有益效果：

本实用新型提供的成膜用炉管机台通过在反应腔的下部区域设置辅助加热器，补偿了反应腔的下部区域的温度损失，使位于该区域的晶圆的成膜厚度有所增加，由此提高了整个批次的晶圆的成膜均匀度，降低了批次损失，从根本上提升了产能利用率。

附图说明