[实用新型]电子装置

说明书

提供了一种电子装置。光电二极管包括耦合到施加第一电压的节点的半导体区域和至少一个半导体壁。该至少一个半导体壁至少沿光电二极管的高度延伸并且部分地围绕该半导体区域。

技术领域

本公开总体上涉及包括至少一个光电二极管的电子装置。

背景技术

光电二极管是均包括PN结的半导体组件。光电二极管具有检测在光学域中的辐射并将其转换成电信号的能力。

图像传感器是均包括多个光电二极管的电子装置。光电二极管使装置能够在给定时间获得场景图像。图像由像素阵列形成，每个像素的信息由一个或多个光电二极管获得。例如，该信息通常对应于在给定时间由光电二极管获得的电子的数量，该电子的数量由图像传感器转换成颜色水平(红色、绿色或蓝色)或转换成灰度水平。

但是，在与图像对应的时间之后形成的电子可能会引起由传感器获得的图像中的修改。

实用新型内容

一个实施例克服了包括光电二极管的已知装置的全部或部分缺点。

在第一方面，提供了一种电子装置。所述电子装置包括：光电二极管，所述光电二极管包括：半导体区域，耦合到施加第一电压的节点；和至少一个半导体壁，至少沿所述光电二极管的高度延伸，所述至少一个半导体壁部分地围绕所述半导体区域。

在一些实施例中，所述电子装置包括半导体衬底，其中所述光电二极管形成在所述半导体衬底中，并且所述至少一个半导体壁沿着所述半导体衬底的整个高度延伸。

在一些实施例中，所述至少一个半导体壁耦合到施加第二电压的节点。

在一些实施例中，所述至少一个半导体壁是U形的。

在一些实施例中，所述半导体区域位于由U形的所述至少一个半导体壁界定的凸面区域中。

在一些实施例中，所述至少一个半导体壁包括两个半导体壁，每个半导体壁为U形。

在一些实施例中，所述两个半导体壁中的每个半导体壁界定相应的凸面区域，并且所述凸面区域朝向彼此延伸。

在一些实施例中，所述至少一个半导体壁具有长方体形状。

在一些实施例中，所述电子装置包括绝缘沟槽，其中所述半导体区域通过所述绝缘沟槽与所述至少一个半导体壁分离。

在一些实施例中，所述电子装置包括晶体管，所述晶体管具有耦合在所述光电二极管的阴极与施加正电压的节点之间的源极端子和漏极端子。

在一些实施例中，所述电子装置包括耦合到所述光电二极管的所述阴极的存储元件。

在一些实施例中，所述存储元件是电子收集区域。

在一些实施例中，所述电子装置包括至少一个连接垫，所述至少一个连接垫在所述光电二极管上并且耦合到施加正电压的节点。

在第二方面，提供了一种电子装置。所述电子装置包括：光电二极管，包括：半导体区域，耦合到施加第一电压的节点；第一半导体壁，部分地围绕所述半导体区域，所述第一半导体壁具有沿着第一方向延伸的第一段，并且具有沿着横向于所述第一方向的第二方向，从所述第一段的相对端延伸的一对第二段；以及第二半导体壁，与所述第一半导体壁间隔开，并且面向所述第一半导体壁。

在一些实施例中，所述第二半导体壁具有沿着所述第一方向延伸的第三段，并且具有沿着所述第二方向，从所述第三段的相对端延伸的一对第四段。

在一些实施例中，所述电子装置还包括电耦合在所述光电二极管的阴极与正电压之间的晶体管。

本公开的实施例可以具有以下优点：在与图像对应的时间之后形成的电子不会引起对传感器获得的图像的修改。