[实用新型]一种阵列基板、显示装置有效
申请号: | 202020395196.X | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN211700283U | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 许卓;杨海刚;朴正淏;马晓峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
本实用新型提供一种阵列基板、显示装置,涉及显示技术领域,为解决显示产品中,晶体管中的部分膜层在爬坡的位置容易发生断裂,从而降低显示产品的良率的问题。所述阵列基板中的晶体管结构包括:栅极图形,有源图形和两个电极图形;两个电极图形与两个电极接触区一一对应,电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形,第一电极子图形在基底上的正投影与对应的电极接触区在基底上的正投影具有第一交叠区域,第二电极子图形覆盖栅极图形的部分第一边界,第二电极子图形在基底上的正投影的延伸方向,与部分第一边界在基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。本实用新型提供的阵列基板用于形成显示装置。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示装置。
背景技术
随着显示产品分辨率的提升,显示产品中用于驱动显示产品显示的晶体管的尺寸越来越小,这种缩小晶体管尺寸的方法虽然能够减小负载,提升显示产品的像素开口率,但是由于制作晶体管时,刻蚀时间不变,导致晶体管中的部分膜层在爬坡的位置容易发生断裂,从而降低显示产品的良率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种阵列基板、显示装置,用于解决显示产品中,晶体管中的部分膜层在爬坡的位置容易发生断裂,从而降低显示产品的良率的问题。
为了实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
本实用新型的第一方面提供一种阵列基板,包括:基底和设置于所述基底上的多个晶体管结构,每个所述晶体管结构均包括:
栅极图形;
位于所述栅极图形背向所述基底的一侧的有源图形,所述有源图形包括相对设置的两个电极接触区,以及位于所述两个电极接触区之间的沟道区;
位于所述有源图形背向所述基底的一侧的两个电极图形,所述两个电极图形与所述两个电极接触区一一对应,所述电极图形包括相耦接的第一电极子图形和第二电极子图形,所述第一电极子图形在所述基底上的正投影与对应的所述电极接触区在所述基底上的正投影具有第一交叠区域,在该第一交叠区域,所述第一电极子图形与位于对应的所述电极接触区的有源图形耦接,所述第二电极子图形覆盖所述栅极图形的部分第一边界,所述第二电极子图形在所述基底上的正投影的延伸方向,与所述部分第一边界在所述基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。
可选的,所述有源图形在所述基底上的正投影被所述栅极图形在所述基底上的正投影覆盖,所述第二电极子图形覆盖所述有源图形的部分第二边界;所述第二电极子图形在所述基底上的正投影的延伸方向,与所述部分第二边界在所述基底上的正投影的延伸方向之间所呈的夹角小于90度。
可选的,所述阵列基板还包括:
多条栅线,所述多个晶体管形成沿第一方向依次排列的多行晶体管行,每行所述晶体管行均包括沿第二方向间隔设置的多个所述晶体管结构,所述栅线与所述晶体管行一一对应,所述栅线与对应的所述晶体管行中包括的晶体管结构的栅极图形分别耦接;
挡墙结构,至少部分所述挡墙结构在所述基底上的正投影,位于同一条栅线耦接的相邻的两个栅极图形在所述基底上的正投影之间。
可选的,所述栅极图形在所述基底上的正投影位于相邻的两个挡墙结构在所述基底上的正投影之间。
可选的,所述两个电极图形包括输入电极图形和输出电极图形;
所述输出电极图形包括依次耦接的所述第一电极子图形,所述第二电极子图形和第三电极子图形,所述第二电极子图形位于所述第一电极子图形和所述第三电极子图形之间,在所述第三电极子图形所在的晶体管结构中,该第三电极子图形位于所述第一电极子图形远离所述输入电极图形的一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的