[实用新型]一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构

权利要求书

1.一种基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，包括基板、反射层、Ce：GAGG闪烁晶体层，基板采用不透光材料制作，其中，反射层设置在基板及Ce：GAGG闪烁晶体层之间；基板表面设有与反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层形状相匹配的安装槽，反射层及Ce：GAGG闪烁晶体层设置在安装槽内。

2.如权利要求1所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，所述Ce：GAGG闪烁晶体层通过Ce：GAGG晶体粉末压制而成，所述Ce：GAGG闪烁晶体层上表面与安装槽上缘相平，Ce：GAGG闪烁晶体层上表面及基板上表面覆盖有透光隔层。

3.如权利要求1所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，所述Ce：GAGG闪烁晶体层通过Ce：GAGG晶体切片、研磨、抛光后得到。

4.如权利要求1或2所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，所述基板采用高分子不透明塑料、轻质金属或碳基材料。

5.如权利要求1或2所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，所述反射层为镜面轻质金属薄片或ESR膜。

6.如权利要求1或2所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，所述Ce：GAGG闪烁晶体层的厚度在50um至1mm之间。

7.如权利要求2所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，Ce：GAGG晶体粉末粒径小于500微米。

8.如权利要求2或7所述的基于Ce：GAGG闪烁晶体的闪烁屏结构，其特征在于，透光隔层与Ce：GAGG闪烁晶体层之间采用光学胶粘接，Ce：GAGG闪烁晶体层与光学胶体积比在1:1至100:1之间可调。