[实用新型]一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置

权利要求书

1.一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置，其特征在于，包括电流源模块以及和所述电流源模块连接的IGBT主回路模块、电压电流检测模块、低温容器和失超检测仪，其中：

所述低温容器内部设置有超导磁体，用以保持所述超导磁体处于极低温状态；

所述失超检测仪与所述超导磁体桥式电接，用以对所述超导磁体上产生的失超信号进行检测；

所述IGBT主回路模块串联于所述电流源模块及所述低温容器内的超导磁体之间，用以接收所述失超检测仪探测到超导磁体失超后发出的失超触发信号进而快速分断电源供电主回路；

所述电压电流检测模块并联在所述低温容器内的超导磁体两端，用以检测所述超导磁体两端的运行电压电流。

2.根据权利要求1所述的一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置，其特征在于，所述IGBT主回路模块包括IGBT主回路开关、MOSFET前级开关、退磁回路二极管组和移能电阻，其中：

所述IGBT主回路开关与所述超导磁体的一端串联，用以提供大电流主回路通断控制以及在接收到所述失超检测仪失超触发信号后分断主回路，所述超导磁体接入所述移能电阻泄能回路；

所述MOSFET前级开关与所述IGBT主回路开关串联，用以在所述超导磁体失超后彻底隔离所述电流源模块，防止所述电流源模块内部回路对所述超导磁体放电回路产生未知干扰，同时保护所述电流源模块不受所述超导磁体的失超电压冲击；

所述退磁回路二极管组通过所述IGBT主回路开关并联在所述低温容器内的超导磁体两端，用以为所述超导磁体提供退磁回路并通过调整所述退磁回路二极管组的串并联数量来满足额定最高运行电流和不同的退磁速率；

所述移能电阻并联在所述低温容器内的超导磁体两端，用以实现IGBT电流快速转换并释放储存在超导磁体内的能量。

3.根据权利要求2所述的一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置，其特征在于，所述IGBT主回路开关的导通/分断时间均小于5μs，可快速分断主回路，在所述超导磁体失超后快速切换进入失超放电回路。

4.根据权利要求2所述的一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置，其特征在于，所述移能电阻采用无感绕制的微感电阻。

5.根据权利要求2所述的一种用于大电流IGBT器件的超导磁体主回路开关装置，其特征在于，所述退磁回路二极管组由不同数量的快恢复二极管串联/并联而成，每个快恢复二极管通态压降为0.85V，并联的快恢复二极管数量由二极管额定电流和超导磁体额定电流决定；串联的快恢复二极管数量由超导磁体的电感以及设计的退磁速率决定。