[实用新型]一种气流分布装置及薄膜沉积设备有效
申请号: | 202020418637.3 | 申请日: | 2020-03-27 |
公开(公告)号: | CN211921690U | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 张丽娜;王艳华;梁舰;卢青;祝晓钊;冯敏强 | 申请(专利权)人: | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 气流 分布 装置 薄膜 沉积 设备 | ||
1.一种气流分布装置,其特征在于,包括:气体分散腔体;
所述气体分散腔体具有进气口以及与所述进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构,所述孔径结构为气体分散盘,且所述气体分散盘具有多个第一通孔;
所述气体分散腔体用于通过所述孔径结构中的所述第一通孔对进入的气体进行气流路径补偿,和/或,所述气体分散腔体用于通过所述分散体结构对进入的气体进行气流路径补偿。
2.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述孔径结构中的任意两个所述第一通孔之间,靠近所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的孔径小于远离所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的孔径。
3.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述多个第一通孔按照同心圆分布为多圈第一通孔,靠近所述气体分散盘中心点的一圈所述第一通孔的分布密度小于远离所述气体分散盘中心点的一圈所述第一通孔的分布密度。
4.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述第一通孔为锥形,所述孔径结构中的任意两个所述第一通孔之间,靠近所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的锥度小于远离所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的锥度。
5.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述分散体结构为分布锥体,所述分散体结构位于所述进气口和所述孔径结构之间,所述进入的气体流经所述分布锥体的锥面再通过所述第一通孔输出;所述分布锥体的锥形底面直径为所述气体分散盘的底面直径的1/3~2/3。
6.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述分散体结构为与所述进气口联通的锥形分散盘,所述锥形分散盘具有多个第二通孔,所述进入的气体流经所述锥形分散盘的第二通孔再通过所述第一通孔输出。
7.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述孔径结构中的两个所述第一通孔,靠近所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的深度大于远离所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的深度。
8.根据权利要求1所述的气流分布装置,其特征在于,所述气体分散腔体还包括位于所述分散体结构和所述孔径结构之间的分散隔板,所述分散隔板具有多个第三通孔。
9.根据权利要求8所述的气流分布装置,其特征在于,所述分散隔板中两个所述第三通孔,靠近所述分散隔板中心点的所述第三通孔的孔径大于远离所述分散隔板中心点的所述第三通孔的孔径;和/或,
所述多个第三通孔按照同心圆分布为多圈第三通孔,靠近所述分散隔板中心点的一圈所述第三通孔的分布密度大于远离所述分散隔板中心点的一圈所述第三通孔的分布密度。
10.一种薄膜沉积设备,其特征在于,包含上述权利要求1-9任一项所述的气流分布装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的