[实用新型]一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置

说明书

本实用新型涉及一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置，包括：基板；总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及饱和导通压降测试电路，所述饱和导通压降测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接。该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及饱和导通压降。

技术领域

本实用新型属于IGBT技术领域，具体涉及一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置。

背景技术

近年来，随着国家不断推进清洁能源建设，大功率IGBT、FRD功率半导体器件在电力电子设备、功率转换中用途越来越广泛，特别是在特高压直流输电、柔性直流输电系统、电动汽车、高铁等行业中，对大功率IGBT半导体器件的需求愈来愈大。随之而来的各种规格的大容量IGBT模块的质量检测问题也越来越突出。

现有技术中，缺乏对大功率IGBT元件的综合测试手段，造成对电力电子设备运行监护的困难，很难实现对在运设备进行系统全面的状态跟踪工作，对设备的长期安全稳定运行带来极大隐患。

由于电力电子设备的开发研制人员、运行维护人员缺乏相应的检测试验手段来测试检验元器件的各项参数指标，严重制约了电力电子设备的研究开发，也制约了电力电子器件国产化的进程。

因此，亟需有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置，该IGBT测试装置有利于综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及饱和导通压降。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置，所述IGBT测试装置包括：

基板；

总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；

栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第一待测IGBT模组连接；

集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第二待测IGBT模组连接；以及

饱和导通压降测试电路，所述饱和导通压降测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个第三待测IGBT模组连接；

所述总控制器用于选择性控制栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及饱和导通压降测试电路中的一个或多个工作；

所述栅极阈值电压测试电路用于检测与其连接的所述第一待测IGBT模组的栅极阈值电压并将结果传递给所述总控制器；

所述集射极截止电流测试电路用于检测与其连接的所述第二待测IGBT模组的集射极电流并将结果传递给所述总控制器；

所述饱和导通压降测试电路用于检测与其连接的所述第三待测IGBT模组的饱和导通压降并将结果传递给所述总控制器。

进一步地，所述栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及饱和导通压降测试电路均设置在所述基板上。

进一步地，所述基板上设置有至少两个隔离板，各个隔离板将所述基板分隔成三个容纳区域，每个容纳区域用于容纳所述栅极阈值电压测试电路、集射极截止电流测试电路以及饱和导通压降测试电路中的一个；所述总控制器设置在所述三个容纳区域中的任意一个容纳区域内。