[实用新型]一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构有效

专利信息
申请号: 202020431506.9 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN211605644U 公开(公告)日: 2020-09-29
发明(设计)人: 蔡万绍;刘佳敏;张邦清 申请(专利权)人: 深圳活力激光技术有限公司
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;H01S5/022
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 戴立亮
地址: 518103 广东省深圳市宝安区福海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体激光器 光纤 耦合 结构
【权利要求书】:

1.一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构,其特征在于:包括光波导组件(9),所述光波导组件(9)由入光口(3)、入光段(4)、连接口(5)、出光段(6)和出光口(7)依次连接而成,所述入光段(4)的外径从入光口(3)到连接口(5)逐渐减小,所述出光段(6)的外径和对应光纤(8)相配合,所述出光口(7)和对应光纤(8)相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构,其特征在于:还包括会聚透镜(10),所述光波导组件(9)位于会聚透镜(10)和对应光纤(8)之间。

3.根据权利要求1或2所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构,其特征在于:所述入光口(3)上设有镀膜。

4.根据权利要求1或2所述的一种高功率半导体激光器的光纤耦合结构,其特征在于:所述入光口(3)的入射光BPP略小于对应光纤(8)的BPP。

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