[实用新型]一种分层式像素补偿电路

说明书

一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；区别于现有技术，上述技术方案通过设计基板上不同的下层薄膜晶体管区和上层薄膜晶体管区，最终通过在竖直方向上缩小像素补偿电路的多个薄膜晶体管所占用的面积，使得单个像素的占用面积减小，最终提高屏幕的解析度。

技术领域

本实用新型涉及像素补偿电路的设计，尤其涉及一种上下分层的新型像素补偿电路设计。

背景技术

当今，随着科技水平的不断提升，人们对显示器画面的要求也在提高，即对高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等显示器的解析度高达2000PPI 以上。对于OLED面板来说，面内2T1C Pixel电路会受到Vth漂移的影响导致面板发光亮度不均匀，需要补偿电路提升面板显示效果，而为了达到更好地补偿效果，补偿电路会有多个TFT，可能会有4T，5T，6T…，这样TFT过多会使Pixel所占面积增大，进而导致面板容纳的Pixel数量减少，即解析度变低，无法满足高解析度的要求。

如今对面板的显示品质需求水平越来越高，提高显示器的解析度尤为重要。我们知道对于OLED面板来说，由于制程和老化的影响，如产生Vth漂移，会对面板显示效果产生极大的影响，为了消除这一影响，OLED面板的Pixel 电路通常会增加TFT做补偿电路，且通常补偿效果越好，TFT会越多，这样会导致Pixel所占面积过大，降低解析度；如将Pixel补偿电路中Driving TFT 替换成电子迁移率更高的LTPS TFT，即LTPO(Low TemperaturePolycrystalline Oxide，即低温多晶氧化物)结构，可减小TFT尺寸，增大解析度，同时将电路做分层处理，原本6T1C的Pixel电路可分为上下两层，上层3个Oxide TFT，下层3个LTPSTFT，进一步减小Pixel面积，增大解析度，同时实用LTPO可以兼具LTPS电子迁移率高与IGZO漏电流小的优势。

因此，如何提高OLED面板的解析度，制造一种补偿效果良好，并具有超高解析度的OLED面板是一项重要的课题。

发明内容

因此，需要提供一种新的分层式的像素补偿电路，达到减小TFT排布面积，提高面板解析度的技术效果。

为实现上述目的，发明人提供了一种分层式像素补偿电路，包括基板上设置的下层薄膜晶体管区、上层薄膜晶体管区、所述上层薄膜晶体管区与下层薄膜晶体管区之间还设置有绝缘层，上层薄膜晶体管区的电极与下层薄膜晶体管区的电极通过穿过绝缘层的连接线连接，上层薄膜晶体管区还图案化有机发光二极管，上层薄膜晶体管区域的薄膜晶体管与下层薄膜晶体管区的薄膜晶体管连接成有机发光二极管的补偿电路；

所述下层薄膜晶体管区包括薄膜晶体管T2、T3、T5以及电容C1、C2；上层薄膜晶体管区包括T1、T4、T6；所述T1的源极与VDD连接，漏极与T4的源极连接；所述T4的漏极还与有机发光二极管的正极连接；所述有机发光二极管的负极还与T6的漏极连接；

所述T1的栅极还通过第一上下层接线与T3的栅极连接，所述T3的漏极与T2的漏极连接，所述T3的源极与DATA线连接，所述T4的栅极还通过第二上下层连接线与T3的漏极连接；所述T3的漏极还与电容C1的一端连接，所述C1的另一端还与C2的一端连接，所述C2的另一端还通过第三上下层连接线与T4的漏极连接，所述C1的另一端还与T5的源极连接，所述T5的漏极通过第四上下层连接线与T6的源极连接。

进一步地，所述下层薄膜晶体管为多晶硅薄膜晶体管，下层薄膜晶体管区包括多晶硅有源层，多晶硅有源层与金属电极连接，所述多晶硅有源层上包覆有阻隔层，所述阻隔层上设置有第一栅极层，所述多晶硅有源层、金属电极及第一栅极层被图案化为若干多晶硅薄膜晶体管，