[实用新型]低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备有效

专利信息
申请号: 202020433162.5 申请日: 2020-03-30
公开(公告)号: CN211789532U 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 孔永丹;赖敏 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01Q1/52 分类号: H01Q1/52;H01Q5/50;H01Q1/36;H01Q5/00;H01Q13/00;H01Q13/06
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 李君
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 交叉 极化 双频 天线 无线通信 设备
【权利要求书】:

1.一种低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列,所述上金属层设置在介质基片的上表面,所述下金属层设置在介质基片的下表面,所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层,且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体;所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸,所述半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口,所述上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。

2.根据权利要求1所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述半模基片集成波导腔体为U形基片集成波导腔体。

3.根据权利要求1所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述半模基片集成波导腔体上设有同轴馈电输入端口。

4.根据权利要求3所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述同轴馈电输入端口的中心与金属化通孔阵列的横向部分之间的间距为3.2mm~3.4mm,同轴馈电输入端口的中心与金属化通孔阵列的其中一个竖向部分之间的间距为3.6mm~3.8mm。

5.根据权利要求1-4任一项所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述金属化通孔阵列的横向部分平行于介质基片的其中一条长边,金属化通孔阵列的两个竖向部分分别平行于介质基片的两条短边。

6.根据权利要求1-4任一项所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述金属化通孔阵列中,横向部分的金属化通孔有十二个,两个竖向部分的金属化通孔均有五个。

7.根据权利要求6所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述金属化通孔阵列中,每个金属化通孔的直径为0.6mm~1mm,相邻两个金属化通孔的圆心之间的间距为1.4mm~1.6mm。

8.根据权利要求1-4任一项所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述介质基片、上金属层和下金属层的长度为17mm~18mm,所述上金属层的宽度为7mm~8mm,所述介质基片和下金属层相对上金属层的延伸部分宽度为4mm~8mm。

9.根据权利要求1-4任一项所述的低交叉极化双频背腔天线,其特征在于:所述缝隙为矩形缝隙,其长度为10mm~11mm,宽度为0.6mm~0.8mm,与开口一侧之间的间距为0.05mm~0.15mm。

10.一种无线通信设备,其特征在于:包括权利要求1-9任一项所述的低交叉极化双频背腔天线。

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