[实用新型]一种自封装叠层光电器件

权利要求书

1.一种自封装叠层光电器件，其特征在于，包括：从上至下连接的埋栅玻璃(101)、钙钛矿电池、硅基电池和封装层(103)，所述埋栅玻璃(101)的槽内设置顶电极(102)，所述顶电极(102)上设置钙钛矿电池，所述硅基电池通过硅基电池的前电极(121)连接所述钙钛矿电池，所述硅基电池的背电极(129)与所述埋栅玻璃(101)内的顶电极(102)形成电流回路，所述硅基电池的背电极(129)与封装层(103)粘接。

2.根据权利要求1所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述硅基电池包括PERC电池(220)或者异质结电池或者N型PERT电池。

3.根据权利要求1所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述钙钛矿电池包括从上至下设置的第一透明导电层(111)、空穴传输层(112)、钙钛矿吸光层(113)、电子传输层(114)和第二透明导电层(115)，所述第二透明导电层(115)与所述硅基电池的前电极(121)连接。

4.根据权利要求1所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述钙钛矿电池包括从上至下设置的第一透明导电层(111)、电子传输层(114)、钙钛矿吸光层(113)、空穴传输层(112)和第二透明导电层(115)，所述第二透明导电层(115)与所述硅基电池的前电极(121)连接。

5.根据权利要求1所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述顶电极(102)、硅基电池的前电极(121)和硅基电池的背电极(129)厚度为1-2000μm。

6.根据权利要求1所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述顶电极(102)包括垂直相交的n条主栅线和m条副栅线。

7.根据权利要求6所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述顶电极(102)深度范围为1-2000μm，所述主栅线和副栅线长度与埋栅玻璃(101)相等，所述主栅线宽度范围为10-1000μm，所述副栅线宽度范围为10-500μm。

8.根据权利要求1-7任一所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述硅基电池的前电极(121)的遮光面积与所述钙钛矿电池的顶电极(102)遮光面积之比范围为0.5-2。

9.根据权利要求6所述的一种自封装叠层光电器件，其特征在于，所述n为1-20；m取值范围为1-100。